产生标识X射线的最低激发电压U必须满足的关系是（）A、eU≥WB、eU≤WC、eU≈WD、eU≠WE、eU∝W
产生标识X射线的最低激发电压U必须满足的关系是（）
- A、eU≥W
- B、eU≤W
- C、eU≈W
- D、eU≠W
- E、eU∝W
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下列叙述错误的是A、管电压越高，产生的X射线最短波长越短B、X射线的最短波长对应于最大光子能量C、管电压越高，X射线的产生效率越大D、阳极靶物质的原子序数越大，X射线的产生效率越大E、管电流越高，X射线的产生效率越大
关于X线谱,叙述正确的是 A、管电压升高，连续射线量比例增加B、管电压升高，特征射线比例减少C、是连续射线与标识射线的叠加线谱D、70kVp以上不产生特征X线E、80～150kVp特征X线占50%
关于X线谱的叙述，正确的是A.管电压升高，连续射线量比例增加B.管电压升高，特征射线比例减少C.是连续射线与标识射线的叠加线谱D.70kVp以上不产生特征X线E.80～150kVp特征X线占50％
能量为80keV的电子入射到X射线管的钨靶上产生的结果是（）.A、连续X射线的最大能量是80keV。B、标识X射线的最大能量是80keV。C、产生的X射线绝大部分是标识X射线。D、仅有1％的电子能量以热量的形式沉积在钨靶中。
下面有关标识X射线的解释，正确的是（）。A、标识X射线的产生与高速电子的能量无关。B、标识X射线是高速电子与靶物质轨道电子相互作用的结果。C、滤过使标识X射线变硬。D、标识X射线的波长由跃迁电子的能级差决定。E、靶物质原子序数越高，标识X射线的能量就越大。
单选题关于特征X线的叙述，正确的是（ ）。A电压升高特征放射能量增加B管电压低于某激发电压，可以产生特征X线CX射线谱是连续能量谱D外层轨道电子跃迁产生X线为特征X线E管电压升高特征射线的百分比减少
多选题下面有关标识X射线的解释，正确的是（）。A标识X射线的产生与高速电子的能量无关。B标识X射线是高速电子与靶物质轨道电子相互作用的结果。C滤过使标识X射线变硬。D标识X射线的波长由跃迁电子的能级差决定。E靶物质原子序数越高，标识X射线的能量就越大。
单选题能量为80keV的电子入射到X射线管的钨靶上产生的结果是（）.A连续X射线的最大能量是80keV。B标识X射线的最大能量是80keV。C产生的X射线绝大部分是标识X射线。D仅有1％的电子能量以热量的形式沉积在钨靶中。
单选题关于X线谱，叙述正确的是（）。A管电压升高，连续射线量比例增加B管电压升高，特征射线比例减少C是连续射线与标识射线的叠加线谱D70kVp以上不产生特征X线E80～150kVp特征X线占50%
单选题X射线管中，电子轰击靶时能量转换的主要形式是产生（）A连续X射线B标识X射线C短波X射线D热