与晶体源性青光眼无关的为（）A、ICE综合征B、晶体溶解C、白内障膨胀期D、马凡氏综合征E、假性剥脱综合征

与晶体源性青光眼无关的为（）

  • A、ICE综合征
  • B、晶体溶解
  • C、白内障膨胀期
  • D、马凡氏综合征
  • E、假性剥脱综合征

相关考题：

下列有关系统容积灵敏度的描述，错误的是A、反映SPECT断层成像的计数效率B、对均匀体源成像，系统容积灵敏度为总体积内所有断层计数之和与源的放射性浓度之比C、与源模型的大小形状无关D、核素的能量、衰减、散射会影响灵敏度E、晶体厚度、准直器的类型会影响灵敏度
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放大电路的静态工作点与所选用的晶体管的特性曲线有关,与放大电路的结构无关。()
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与组织或工作无关的应激源,称为_________。
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引起继发性青光眼的原因有 A、虹膜睫状体炎B、晶体异常C、眼外伤D、新生血管性E、散瞳
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晶体脱位于前房引起的继发性青光眼，自觉症状与下列哪种原发性青光眼相似：（）A、急闭青；B、慢闭青；C、房水分泌过多型青光眼；D、开青；E、青睫综合征。
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青光眼是（）A、玻璃体混浊性疾患B、晶体混浊性疾患C、眼压升高导致视野缺损或视力下降的疾患D、视网膜与视网膜上皮发生分离的疾患
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老年性白内障膨胀期常见的严重并发症是（）A、晶体脱位B、晶体溶解性青光眼C、晶体性葡萄膜炎D、急性闭角型青光眼E、以上均不是
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与玻璃体液化无关的是A、炎症B、外伤C、近视D、青光眼
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激光晶体后囊膜切开术的适应证（）。A、无晶体眼的后发障B、先天性白内障C、并发性白内障D、瞳孔阻滞性青光眼E、后房型人工晶体植入术后的后发障
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晶态高聚物与小分子晶体的溶解过程的区别，下列说法中正确的是（）。A、结晶高聚物的熔融过程是折线，小分子晶体的熔融过程是渐近线。B、结晶高聚物的熔点无记忆性，小分子晶体的熔点由记忆性。C、结晶高聚物的熔点温度范围窄，小分子晶体的熔点温度范围宽。D、结晶高聚物的熔点与两相的组成有关，小分子晶体的熔点与两相的组成无关。
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离子晶体在弱电场的作用下，离子的迁移率与（）无关，与（）和（）有关。
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有晶体眼人工晶体植入术的并发症包括（）代偿；白内障；继发性青光眼；瞳孔阻滞。
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老年性白内障膨胀期常见的严重并发症是：（）A、晶体脱位B、晶体溶解性青光眼C、晶体过敏性葡萄膜炎D、继发性闭角型青光眼E、以上均是
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白内障膨胀期患者诱发了急性闭角型青光眼，首先要考虑的原因是（）A、眼内出血B、晶状体溶解性（皮质过敏）青光眼C、睫状环阻滞性青光眼D、晶状体体积增大致晶体-虹膜隔前移
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有前房和玻璃体出血病史，裂隙灯检查房水有色素颗粒，眼压40mmHg，诊断（）A、前房出血B、溶血性青光眼C、新生血管性青光眼D、高眼压症E、晶体溶解性青光眼
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解理与晶体内部结构（）（有关/无关），并（）（受/不受）晶体对称性的控制。
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仪器效率与源的能谱无关。
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单选题端电压恒为u，与流过它的电流i无关的二端元件称为（）。A电压源B电流源C独立源D受控源
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单选题青光眼是（）A玻璃体混浊性疾患B晶体混浊性疾患C眼压升高导致视野缺损或视力下降的疾患D视网膜与视网膜上皮发生分离的疾患
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单选题晶体脱位于前房引起的继发性青光眼，自觉症状与下列哪种原发性青光眼相似：（）A急闭青；B慢闭青；C房水分泌过多型青光眼；D开青；E青睫综合征。
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单选题老年性白内障膨胀期常见的严重并发症是（）A晶体脱位B晶体溶解性青光眼C晶体性葡萄膜炎D急性闭角型青光眼E以上均不是
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多选题激光晶体后囊膜切开术的适应证（）。A无晶体眼的后发障B先天性白内障C并发性白内障D瞳孔阻滞性青光眼E后房型人工晶体植入术后的后发障
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单选题下列有关系统容积灵敏度的描述，错误的是（）。A反映SPECT断层成像的计数效率B对均匀体源成像，系统容积灵敏度为总体积内所有断层计数之和与源的放射性浓度之比C与源模型的大小形状无关D核素的能量、衰减、散射会影响灵敏度E晶体厚度、准直器的类型会影响灵敏度
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问答题是否有与库仑力无关的晶体结合类型？
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单选题老年性白内障膨胀期常见的严重并发症是：（）A晶体脱位B晶体溶解性青光眼C晶体过敏性葡萄膜炎D继发性闭角型青光眼E以上均是
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问答题是否有与库仑力无关的晶体结合类型？对照晶体的各种键合类型说明之。
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单选题与晶体源性青光眼无关的为（）AICE综合征B晶体溶解C白内障膨胀期D马凡氏综合征E假性剥脱综合征
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