填空题单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）
填空题
单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）
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关于牙釉质酸蚀的作用，完全正确的一项是()A、机械清洁牙面;去除玷污层;增加釉质表面的自由能;活化釉质表层;增加釉质的表面积和粗糙度B、机械清洁牙面;保留玷污层;增加釉质表面的自由能;活化釉质表层;增加釉质的表面积和光洁度C、机械清洁牙面;保留玷污层;降低釉质表面的自由能;活化釉质表层;增加釉质的表面积和粗糙度D、机械清洁牙面;去除玷污层;降低釉质表面的自由能;活化釉质表层;增加釉质的表面积和粗糙度E、机械清洁牙面;去除玷污层;增加釉质表面的自由能;活化釉质表层;增加釉质的表面积和光洁度
关于牙釉质酸蚀的作用完全正确的一项是（）A、机械清洁牙面；去除玷污层；增加釉质表面的自由能；活化釉质表层；增加釉质的表面积和粗糙度B、机械清洁牙面；保留玷污层；增加釉质表面的自由能；活化釉质表层；增加釉质的表面积和光洁度C、机械清洁牙面；保留玷污层；降低釉质表面的自由能；活化釉质表层；增加釉质的表面积和粗糙度D、机械清洁牙面；去除玷污层；降低釉质表面的自由能；活化釉质表层；增加釉质的表面积和粗糙度E、机械清洁牙面；去除玷污层；增加釉质表面的自由能；活化釉质表层；降低釉质的表面积和光洁度
单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
填空题单晶硅太阳能电池采用（）表面来增加表面积，用沉积Si3N4作（）膜来降低入射光的反射，用在扩散层表面氧化生长（）nm的钝化层，改变表面层硅原子价键失配，减少表面复合，提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时，反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的（）