当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。 A.晶种B.晶核C.晶体D.晶浆
影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素不包括( )。A.溶质向结晶界面移动的性质和强度B.粒结晶在母液中呈悬浮状态和其在母液中停留的时间C.母液温度和酸度D.母液中杂质
在分批冷却结晶操作中，使“溶液慢慢达到过饱和状态，产生较多晶核”的操作方式是（）A、不加晶种，迅速冷却B、不加晶种，缓慢冷却C、加晶种，迅速冷却D、加晶种而缓慢冷却
金属结晶的条件包括（）。A、能量条件B、晶和形成C、相起伏D、晶核长大
析碘过程碘从溶液中析出可分为（）A、过饱和溶液的形成B、晶核的生成C、晶体的成长D、加入晶种
硫酸镍结晶过程中加入晶种，可增加晶核数量，提高一次成品率。
硫酸镍结晶过程中，加入晶种的主要作用（）。A、促使晶体粒度均匀B、促进晶核的形成和晶体的长大C、增加晶核数量，提高一次成品率
碳化液内晶种的作用（）。A、促进晶核生长B、促进晶核生成C、防止二次结晶D、利于初次结晶
（）不是影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素。A、母液中杂质B、母液温度和酸度C、粒结晶在母液中呈悬浮状态和其在母液中停留的时间D、溶质向结晶界面移动的性质和强度
简述溢流槽（Φ10m*8m）、母液槽（Φ12000*8000）、晶种槽（Φ10000*11000）、化清槽（Φ6*6m）焊接标准及验收。
成核的两种形式是（）。A、初次结晶，一次晶核B、晶种，二次晶核C、一次晶核，二次晶核D、初次结晶，晶种
当通过汽化移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的（），使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆
洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液。
晶体的生长中心，称为（）A、晶胞B、晶格C、晶核D、晶种
由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。A、大角度晶界和孪晶界B、相界面C、外表面
洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液
对于焊接熔池结晶来讲，（）晶核起着主要作用。A、自发B、非自发C、柱状晶D、等轴晶
填空题谷氨酸的晶型分为（）和（）两种，等电点提取谷氨酸时，首先必须形成一定数量的晶核，然后才能进行育晶。谷氨酸起晶有（）和（）两种方法。
单选题（）不是影响硫铵结晶于母液中成长速率和晶形的因素。A母液中杂质B母液温度和酸度C粒结晶在母液中呈悬浮状态和其在母液中停留的时间D溶质向结晶界面移动的性质和强度
单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A沉淀剂B沉淀表面吸附的杂质C沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D混杂在沉淀中的母液