制作金属烤瓷冠中，金属基底冠预氧化后上遮色瓷，其厚度为A．0.1～0.2mmB．0.2～0.3mmC．0.3～0.4mmD．0.4～0.5mmE．0.5～0.6mm
制作金属烤瓷冠中，金属基底冠预氧化后上遮色瓷，其厚度为
A．0.1～0.2mm
B．0.2～0.3mm
C．0.3～0.4mm
D．0.4～0.5mm
E．0.5～0.6mm
相关考题：
(共用备选答案)A．0.1mmB．0.2mmC．0.3mmD．0.5mmE．1.0mm1．铸造金属全冠 面磨除的厚度至少为2．金属烤瓷冠的基底冠厚度至少为3．金属烤瓷冠不透明瓷厚度一般为4．3/4冠邻轴沟的深度为5．钉洞固位形的直径一般为6．塑料全冠的肩台宽度至少为7．铸造金属全冠凹形边缘的宽度为8．金属烤瓷冠金属舌侧龈边缘的宽度般为
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是A.贵金属合金上瓷前需预氧化B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mmC.机械性的结合力起最大的作用D.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度E.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是 ( )A.代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B.上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D.代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E.上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）A、上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B、代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C、代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉D、代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉E、上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是（）。A、合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μmB、机械性的结合力起最大的作用C、贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mmD、贵金属合金上瓷前需预氧化E、金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
单选题金属烤瓷全冠制作时，遮色瓷层的厚度应是（ ）。ABCDE