金属导体的电阻率随温度升高而______；半导体的导电能力随温度升高而______。A.升高／升高B.降低／降低C.升高／降低D.降低／升高

金属导体的电阻率随温度升高而______；半导体的导电能力随温度升高而______。

A.升高／升高

B.降低／降低

C.升高／降低

D.降低／升高

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当温度升高时,半导体的电阻率随温度升高而迅速减小,而金属的电阻率却会增大。() 此题为判断题(对，错)。
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金属导体的电阻随温度升高而增大,()其主要原因是 A、电阻率随温度升高而增大B、导体长度随温度升高而增加C、导体截面积随温度升高而增加D、其他原因
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半导体的电阻率随()的升高而下降。 A、湿度B、压力C、电压D、温度
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半导体的导电率具有负温度特性，也就是说，半导体的导电能力随温度的升高而减少。此题为判断题(对，错)。
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金属导体的电阻值随温度升高而 ，半导体的电阻值随温度升高而减小。
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热电阻温度传感器包括金属热电阻和半导体热电阻，利用了电阻率却随温度升高而升高，来实现温度测量。
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由于晶格热振动的加剧，金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大
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15、关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。A．杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降B．低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降C．高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降D．当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素
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8、热电阻温度传感器包括金属热电阻和半导体热电阻，利用了电阻率却随温度升高而升高，来实现温度测量。
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