三极管输入电阻 rbe 与静态电流IE有关,因而 rbe 是直流电阻。() 此题为判断题(对，错)。

三极管输入电阻 rbe 与静态电流IE有关,因而 rbe 是直流电阻。()

此题为判断题(对，错)。

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多级放大电路输入电阻为各级输入电阻之和。() 此题为判断题(对，错)。
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放大器的输入电阻是从放大器输入端看进去的等效电阻,它是个直流电阻。() 此题为判断题(对，错)。
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BJT的输入电阻rbe与静态电流IE大小有关,因而rbe是直流电阻。()
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交流通路是有信号作用, 无直流电源作用时变化电流的通路。用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。( ) 此题为判断题(对，错)。
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晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关,温度升高,RBE、rbe都减小。() 此题为判断题(对，错)。
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晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关,IB愈小,输入电阻愈小。() 此题为判断题(对，错)。
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在小信号共射极放大电路中,Ib越大,则输入电阻Rbe()。 A.越大B.越小C.与Ib无关，为一常数D.大大增加
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在直流电路中,电阻的瞬时电流与平均电流基本相同。() 此题为判断题(对，错)。
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能使输出电阻降低的是电流负反馈,能使输入电阻提高的是串联负反馈。() 此题为判断题(对，错)。
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电压放大倍数Au的大小主要取决于三极管的β值和交流负载值,它几乎不受rbe值的改变而改变。() 此题为判断题(对，错)。
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晶体三极管的直流输入电阻和交流输入电阻都和温度有关,温度升高,直流输入电阻和交流输入电阻都增大。() 此题为判断题(对，错)。
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为 rbe ，那么该放大电路的输入电阻为：（A）rbe（B）RB1 //RB2//rbe（C）RB1 //RB2//(RE+rbe)（D） RB1 //RB2//(RE+(1+β)rbe)
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若题22图所示电路的参数满足RC1=RC2=RC，RB1=RB2=RB，β1=β2=β，rbe1=rbe2=rbe。电位器滑动端调在中点，则该电路的差模输入电阻Rid为（　　）。
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电电路的输入电阻为：A.RbeB.RB1//RB2//rbeC.RB1//RB2//(RE+Rbe)D.RB1//RB2//[RE+(1+β)Rbe]
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如图25所示三极管放大电路的输入电阻是：( )。A、RB1∥RB2∥rbeB、RB1∥RB2∥[rbe+(1+β)RE1]C、RB1∥RB2∥[rbe+(1+β)(RE2+RE1)]D、RB1∥RB2∥[rbe+(1+β)RE2]
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晶体管单管放大电路如图所示，当晶体管工作于线性区时，晶体管的输入电阻为Rbe，那么，该放大电路的输入电阻为：
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低LET射线的特点是（）。A、RBE高，OER高B、RBE高，OER低C、RBE低，OER高D、RBE低，OER低E、与RBE和OER无关
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高LET射线的特点是（）。A、RBE高，OER高B、RBE高，OER低C、RBE低，OER低D、与RBE和OER无关
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在共发射极放大电路中，放大器的输入电阻可近似为（）。A、Ri≈rbe B、Ri≈RC C、Ri大于rbe D、Ri稍小于rbe
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在小信号共射极放大电路中，，b越大，则输入电阻Rbe（）。A、越大B、与，b无关，为一常数C、越小D、先变小后变大
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晶体三极管的直流输入电阻和交流输入电阻都和温度有关，温度升高，直流输入电阻和交流输入电阻都增大。
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在小信号共射极放大电路中，Ib越大，则输入电阻Rbe（）。A、越大B、越小C、与Ib无关，为一常数D、大大增加
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三极管输入电阻rbe与静态电流IE的大小有关，因而rbe是直流电阻。
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晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
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在小信号共射极放大电路中，IB越大，则输入电阻rbe（）。A、越大B、越小C、与IB无关，为一常数
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在小信号共射极放大电路中Ib越大，则输入电阻Rbe（）。A、越大B、越小C、与几无关D、为一常数
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判断题晶体三极管的直流输入电阻和交流输入电阻都和温度有关，温度升高，直流输入电阻和交流输入电阻都增大。A对B错
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