关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是(50)。A．CE端为低电平B．R/W'端为高电平C．地址出现在address线上D．数据出现在data线上
关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是(50)。
A．CE端为低电平
B．R/W'端为高电平
C．地址出现在address线上
D．数据出现在data线上
相关考题：
80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在FO写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电平C．W/R=H高电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平D．W/R=L低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平
80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在I/O写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=H低电子，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电子C．W/R=H高电平，D/C=H低电平，M/IO=L高电平D．W/R=H低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平
有三个输入端的或门电路，要求输出端为高电平，则其输入端（）。A．三个端均为高电平；B．至少一端为低电平；C．三个端均为低电平；D．至少一端为高电平。