画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）

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相关考题：

晶体管的输入特性曲线和二极管的()关系特性相似,晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻,它是()和()的比值。
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表达构件中钢筋配置的情况,一般只需纵剖视图和()即可。 A、立面图B、剖面图C、横剖面图D、正剖面图
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给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题)
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给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck-q,还有 clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
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画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试
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画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
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画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题）
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画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）
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给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）
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用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
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画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知）
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给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 －14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
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以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
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sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换 。（Infineon笔试试题）
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给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9－14b)，问你有什么办法提高*** time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）
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在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
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如图26所示电路为电压比较器，它的输入输出传输特性应该是图( )。
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因果分析图的基本原理是对每一个质量特性或问题逐层深入排查可能出现的原因，每一张分析图都应对( )进行分析。A、多个质量特性B、几个主要质量特性C、一个质量特性D、所有质量特性
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根据工件图的特点和视图表达情况确定哪个部件需画出（）。并在原圈上画出剖面图。A、局部剖视图B、局部放大图C、局部立体图D、局部剖面图
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衡量光纤传输距离和传输容量的两个主要特性是（）特性和（）特性。
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（）要求画出剖切平面以后的所有部分的投影A、剖面图B、剖视图C、视图D、移出剖面图
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（）要求画出剖切平面以后的所有部分的投影。A、剖面图B、剖视图C、视图
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晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的（）特性。
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衡量光纤的传输距离和传输容量的两个主要特性是（）特性和（）特性。
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在水工图中需要画出地形、方位、河流方向的图样是（）。A、详图B、枢纽平面布置图C、横剖面图D、纵剖视图
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CMOS传输门，具有双向传输特性。
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单选题在水工图中需要画出地形、方位、河流方向的图样是（）。A详图B枢纽平面布置图C横剖面图D纵剖视图
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