假设（AL）=9BH,执行DAA指令，CPU将自动完成下面哪一种操作？A．（AL）+00H→ALB．（AL）+06H→ALC．（AL）+60H→ALD．（AL）+66H→AL
硬铝是()细合金。 A、Al-MgB、Al-MnC、Al-Cu-MgD、Al-Mg-Zn
下列第()条是合法的访问I/O端口指令。A. IN AL,100HB. IN AL,BXC. IN AL,BLD. IN AL,DX
执行下列程序段后，AL=( )。 MOV AL，64 MOV CL，2 SHR AL，CL MIOV CL，AL SHR AL，2 ADD AL，CLA．16B．20C．32D．64
下列指令序列执行后，AL寄存器中的内容为【 】。MOV AL，1SAL AL，1MOV BL，ALSAL AL，1SAL AL，1ADD AL，SL
下列四条指令都可以用来使累加器AL清“0”，但其中不能清CF的是( )。A．XOR AL，ALB．AND AL，0C．MOV AL，0D．SUB AL，AL
巴黎剂量学系统中源活性长度AL与靶区长度L的关系描述正确的是A、AL=LB、ALLD、AL≥LE、AL≤L 巴黎剂量学系统中源活性长度AL与靶区长度L的关系描述正确的是A、AL＝LB、AL＜LC、AL＞LD、AL≥LE、AL≤L
Al2O3是两性氧化物，用下列何种说法制得的Al2O3能溶于酸也能溶于碱（）A、Al+O2---→Al2O3（燃烧）B、Al（OH）3----→Al2O3（灼烧）C、Al（NO3）3---→Al2O3（灼烧）D、Al（OH）3---→Al2O3（725K）
执行下列（）指令后，就能用条件转移指令判断AL和BL寄存器中的最高位是否相同A、TEST AL，BLB、CMP AL，BLC、AND AL，BLD、XOR AL，BL
巴黎剂量学系统中源活性长度AL与靶区长度L的关系描述正确的是（）A、AL＝LB、AL＜LC、AL＞LD、AL≥LE、AL≤L
Al、Ti、B的加入顺序为（）。A、B—AL---TiB、Al---Ti-----BC、Ti----B-----Al
S08Al细分牌号有（）A、08Al-TB、08Al-PC、08Al-XD、08Al-J
执行下列程序后，求（AL）、（BL）、（CF）的值。 MOV AL，64HMOV BL，-1CMP AL，BLADD AL，AL
完成AL寄存器与CF标志位清零的指令是（）。A、MOV AL，00B、AND AL，00C、XOR AL，ALD、SUB AL，AL
要检查寄存器AL中的内容是否与AH相同，应使用的指令为（）。A、AND AL，AHB、OR AL，AHC、XOR AL，AHD、SBB AL，AH
下列第（）条是合法的访问I/O端口指令。A、IN AL，100HB、IN AL，BXC、IN AL，BLD、IN AL，DX
分析下面程序段， MOV AL，200 SAR AL，1 MOV BL，AL MOV CL，2 SAR AL，CL ADD AL，BL 试问程序段执行后 （BL）＝？ （AL）＝？
将AL的2、6位屏蔽为0，其余位保持不变，指令为（）。A、AND AL，42HB、AND AL，0BBHC、OR AL，26HD、ADD AL，0FBH
将AL清0的指令为（）。A、AND AL，ALB、OR AL，0C、XOR AL，ALD、XOR AL，0
完成将累加器AL清零，并使进位标志CF清零，下面错误的指令是（）A、MOV AL，00HB、AND AL，00HC、XOR AL，ALD、SUB AL，AL
Be、B、Mg、Al四种元素的电负性大小顺序可能为（）。A、B＞Be＞Al＞MgB、B＞Al＞Be＞MgC、B＞Be≈Al＞MgD、B＜Al＜Be＜Mg
单选题将AL清0的指令为（）。AAND AL，ALBOR AL，0CXOR AL，ALDXOR AL，0
单选题指令IMUL CL，表示（）。A（AL）*（CL）→（AX）B（AX）*（CL）→（DX）C（AX）/（CL）→（AL）D（CL）*（AL）→（AL）
单选题下列元素电负性大小顺序中正确的是（ ）。ABe＞B＞Al＞MgBB＞Al＞Be≈MgCB＞Be≈Al＞MgDB≈Al＜Be＜Mg
单选题将AL的第4位置1，其余位不变，指令为（）。AOR AL，40HBAND AL，40HCOR AL，10HDAND AL，1FH
单选题完成将累加器AL清零，并使进位标志CF清零，下面错误的指令是（）AMOV AL，00HBAND AL，00HCXOR AL，ALDSUB AL，AL
单选题能够遍历泛型List〈Integer〉 al中的所有元素的语句是哪项？（）Afor（Integer i ： al）Bfor（i ： al）Cfor（al）DforEach（Integer i ： al）