若利用DRAM2164A（64K×1）存储器芯片构成256KB的存储器，至少需要的地址信号线数及用于片内寻址的地址信号线数分别为（）。A、18和16B、18和8C、17和15D、18和13
若利用DRAM2164A（64K×1）存储器芯片构成256KB的存储器，至少需要的地址信号线数及用于片内寻址的地址信号线数分别为（）。
- A、18和16
- B、18和8
- C、17和15
- D、18和13
相关考题：
内存按字节编址，地址从A0000H到CFFFFH的内存，共存（请作答此空）字节，若用存储容量为64k*8bit的存储器芯片构成该内存空间，至少需要（)片。A.80kB.96kC.160kD.192k
内存按字节编址，地址从 AOOOOH 到 CFFFFH，共有（3）字节。 若用存储容量为 64K×8bit 的存储器芯片构成该内存空间，至少需要（4）片. （3）A.80KB.96KC.160KD.192K
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：需要芯片的总数是多少？
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
单选题构成8086系统最大存储器容量需用（）片64K×1位的存储器芯片。A16B64C32D128