可以多次编程的只读存储器是A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.掩膜式ROME.EPRAM
早期的可编程逻辑器件不包括下列哪一种?() A PROMB EPROMC EEPROMD FPGA
在下面四种半导体存储器中,哪一种采用的是动态随机存取存储器?A.RDRAMB.Flash ROMC.EEPROMD.Cache
在下面四种半导体存储器中,( )采用的是动态随机存取存储器。A.RDRAMB.Flash. ROMC.EEPROMD.Cache
需要进行刷新处理存储器的是( )A.ROMB.EPROMC.DRAMD.SRAM
目前所使用的BIOS芯片,采用什么存储芯片制作()。 A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.ROM
以下属于ROM系列的有() A.MASKROMB.EPROMC.EEPROMD.FLASHROM
采用4K×4位的SRAM存储芯片扩展成32KB的存储模块,需要这种规格的存储芯片()片。
CPU高速缓存是采用以下哪种存储芯片()A、EPROMB、SRAMC、FLASH ROMD、DRAM
以下存储器中,只有()是以电容来存储信息,需要定期进行刷新。A、PROMB、EPROMC、DRAMD、SRAM
()存储芯片是易失性的。A、SRAMB、UV-EPROMC、NV-RAMD、EEPROM
某系统需要小量的高速缓存,最合适的存储器是()A、SRAMB、DRAMC、EEPROMD、Flash
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
U 盘是采用作为存储器的移动存储设备()A、FlashMemoryB、EPROMC、EEPROMD、SRAM
PLC的用户程序一般会固化在()介质上。A、B.ROMB、B.EPROMC、C.EEPROMD、D.EPROM或EEPROM
下列只读存储器中,可紫外线擦除数据的是()A、PROMB、EPROMC、Flash Memory
存储器在断电后,仍保留原有信息的是()A、RAM,ROMB、ROM,EPROMC、SRAM,DRAMD、PROM,RAM
以下几种存储器中,断电以后还能够保存信息的是:()A、静态RAM和动态RAMB、动态RAM和EPROMC、EPROM和FLASHD、FLASH和静态RAM
下列中的()是电擦除可编程只读存储器。A、RAMB、EPROMC、EEPROMD、ROM
下列不属于BIOS芯片种类的是()。A、ROMB、FlashROMC、EPROM、EEPROMD、SRAM
根据存储器芯片的功能及物理特性,目前用作U盘存储芯片的是()A、SRAMB、SDRAMC、EPROMD、Flash ROM
在内存储器中,需要对()所存的信息进行周期性的刷新。A、PROMB、EPROMC、DRAMD、SRAM
以下属于ROM系列的有()A、MASKROMB、EPROMC、EEPROMD、FLASHROM
目前所使用的BIOS芯片,采用什么存储芯片制作()。A、PROMB、EPROMC、EEPROMD、ROM
单选题早期的可编程逻辑器件不包括下列哪一种()A PROMB EPROMC EEPROMD FPGA
填空题采用4K×4位的SRAM存储芯片扩展成32KB的存储模块,需要这种规格的存储芯片()片。