如果车厢内太冷或者太热,将()旋转至.+1K,+2K,-1K,-2K其中一个位置可以实现单节车的温度调节A、。FPC24B、选择开关C、空调启动按钮D、以上都不是

如果车厢内太冷或者太热,将()旋转至.+1K,+2K,-1K,-2K其中一个位置可以实现单节车的温度调节

  • A、。FPC24
  • B、选择开关
  • C、空调启动按钮
  • D、以上都不是

相关考题:

某集成存储器有11根地址线和4根数据线,则其存储容量大小为() A、1k×8B、2k×8C、1k×4D、2k×4

在操作系统的虚拟内存管理中,内存地址由页目录号、页号和页内偏移3个部分组成。如果页目录号占10位、页号占10位、页内偏移占12位,那么() A.页大小是1K,一个页目录最多4K页B.页大小是2K,一个页目录最多2K页C.页大小是2K,一个页目录最多1K页D.页大小是4K,一个页目录最多1K页

用1K*4的存储片组成2K*8的内存,则需要存储片4片。() 此题为判断题(对,错)。

如图所示,已知β=100,rbe=1kΩ,计算放大电路电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro分别是(  )。A.Au=-6.5,ri=5.2Ω,ro=2kΩB.Au=6.5,ri=5.2Ω,ro=20kΩC.Au=-65,ri=1kΩ,ro=6kΩD.Au=65,ri=200Ω,ro=2kΩ

使用4个1kΩ镍电阻检测一个大空间的平均温度(21℃),连接方式是2个串联后再并联,电阻串并联后的电阻为()。A、0.5kΩB、1kΩC、2kΩD、4kΩ

电缆终端、设备线夹、与导线连接部位不应出现温度异常现象,电缆终端套管各相同位置部件温差不宜超过( ); 设备线夹、与导线连接部位各相相同位置部件温差不宜超过( )。2K; 5K$; $2K; 6K$; $1K; 5K$; $1K; 6K

空调设备的自动监控系统中常用的温度传感器有( )等类型。 A、1kΩ铜电阻 B、1kΩ铝电阻 C、1kΩ镍电阻 D、1kΩ铂电阻 E、1kΩ银电阻

如果车厢内太冷或者太热,将选择开关旋转至. "+1K,+2K, -1K, -2K"其中一个位置可以实现单节车的温度调节。

变压器运输、安装中经历了机械冲击,或运行中经历了短路电流冲击,应进行绕组扫频响应分析试验。一般扫频范围从()Hz到()Hz,检测灵敏度不低于-80db。A、1k,5kB、1k,1MC、2k,5kD、2k,1M

25W的烙铁心电阻大约为()。A、1KΩB、2KΩC、3KΩD、4KΩ

一个标称值为2KΩ的电位器,其阻值变化的范围是()A、0-2KΩB、2KΩ-∞C、2KΩD、1KΩ-2KΩ

为组成2K*8位的主存,可用两片()。A、1*4位芯片串联B、1K*8位芯片并联C、2K*4位芯片串联D、2K*4位芯片并联

一般人体电阻在1kΩ~2kΩ之间。

5个10KΩ电阻并联,总阻值为()A、1KΩB、2KΩC、3KΩD、4KΩ

水内冷发电机转子绕组绝缘电阻值在室温时一般不应小于()。A、1kΩB、2kΩC、5kΩD、10kΩ

用1K*4的存储片组成2K*8的内存,则需要存储片4片。

2114存储芯片的容量是()。A、1K*4B、1K*8C、2K*4D、2K*8

有一SRAM芯片,地址引脚有10根,数据引脚有4根,该芯片容量是()A、1K×4B、2K×8C、512×4D、1K×8

为组成2K×8的主存,可用两片()A、 1K×4位芯片串联B、 1K×8位芯片并联C、 2K×4位芯片串联D、 2K×4位芯片并联

速度传感器信号输入通道输入阻抗不小于()。A、1KΩB、2KΩC、5KΩD、2.5KΩ

PSZ-I-15A型多功能电源屏的二路外电源通过()接入屏内工作电路,屏内电路具有两路互相切换的功能。A、1K、2KB、1K、3KC、2K、3KD、1K、4K

无源车轮传感器电阻为()。A、0.5kΩB、1kΩC、1.5kΩD、2kΩ

两个电阻一个为2KΩ、一个为2KΩ,它们并联的等效电阻是()。A、1KΩB、2KΩC、9KΩD、6KΩ

如果车厢内太冷或者太热,将选择开关旋转至.+1K,+2K,-1K,-2K其中一个位置可以实现()的温度调节。11A、单节车B、一个单元C、一列车D、以上都不是

关于BP-2B母线保护装置屏上的直流空开1K和2K,正确的说法是()。A、直流空开1K控制装置运行电源,2K控制操作电源(开入电源)B、直流空开1K控制装置操作电源(开入电源),2K控制运行电源C、直流空开1K控制Ⅰ母元件的开入电源,直流空开2K控制Ⅱ母元件的开入电源D、直流空开1K控制装置运行电源及操作电源(开入电源),直流空开2K备用

判断题用1K*4的存储片组成2K*8的内存,则需要存储片4片。A对B错

单选题为组成2K×8的主存,可用两片()A 1K×4位芯片串联B 1K×8位芯片并联C 2K×4位芯片串联D 2K×4位芯片并联