半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。 A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体的（）A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
光子探头器件采用（）致冷。A、半导体一级B、半导体二级C、半导体三级
半导体器件的参数有多种测试方法，但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法，为此就应选用半导体管特性图示仪。
为什么锗半导体材料最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体？
HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A、60℃B、70℃C、80℃D、90℃
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。A、真空充氮密封B、采用双浸热敏元件C、三级半导体制冷D、二级半导制冷E、一级半导制冷
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
半导体二级管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本性质是双向导电性。
半导体储存器是一种能储存大量（）信息的半导体器件。A、单值B、二值C、三值D、多值
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）A、不带电的B、带正点的C、带负电的
判断题逆变器的功率半导体器件采用IGBT。A对B错
单选题HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A60℃B70℃C80℃D90℃
多选题THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。A真空充氮密封B采用双浸热敏元件C三级半导体制冷D二级半导制冷E一级半导制冷