下列局部放电检测方法中,可以应用放电量对缺陷劣化程度进行定量表述的是()。A、特高频法;B、超声波法;C、暂态地电波法;D、脉冲电流法。
下列局部放电检测方法中,可以应用放电量对缺陷劣化程度进行定量表述的是()。
- A、特高频法;
- B、超声波法;
- C、暂态地电波法;
- D、脉冲电流法。
相关考题:
应用特高频局部放电对GIS进行检测,放电信号在工频相位的正、负半周均会出现,且具有一定对称性,放电信号幅值很大,放电次数少,则最可能的缺陷是()。A、尖端放电;B、绝缘内部气隙放电;C、内部悬浮放电;D、自由颗粒放电。
应用特高频局部放电对GIS进行检测,放电信号在工频相位的正、负半周均会出现,且具有一定对称性,放电信号幅值很大,放电次数少,则最可能的缺陷是()。A、尖端放电;B、绝缘内部气隙放电;C、内部悬浮放电;D、自由颗粒放电。
特高频只能通过电磁波可穿透的非金属部位进行检测,常见为非金属屏蔽的盆式绝缘子,除此之外,还有()部位可测量。A、刀闸观察窗(如有);B、接地刀闸外露绝缘件;C、内置式TA二次接线盒;D、TV二次接线盒。
局部放电检测方法可定量分析的是()。A、超声波法;B、特高频法;C、脉冲电流法;D、高频电流法。