导体内部的场强为(),导体表面上任何一点场强的方向必定跟该点的表面(),导体上的静电荷只分布在导体的()。
导体内部的场强为(),导体表面上任何一点场强的方向必定跟该点的表面(),导体上的静电荷只分布在导体的()。
相关考题:
导体处于静电平衡状态时,下列说法正确的是() A、导体所带的电荷均匀的分布在导体内B、表面曲率较大处电势较高C、导体内部的电势比导体表面的电势低D、导体内部任何一点处的电场强度为零,导体表面处电场强度的方向都与导体表面垂直
应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算,计算结果应为:A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B. r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C. r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r
关于匀强电场电场强度和电势差的关系,下列说法正确的是()A、在相同距离上的两点,电势差大的其场强也必定大B、场强在数值上等于每单位距离上的电势的降落C、沿电场线的方向,任何相等距离上的电势降落必定相等D、电势降低最快的方向必定是电场强度的方向
真空中有一组带电导体,某一导体表面电荷面密度为处,其表面附近的电场强度大小E=Q/W,这电场强度E是由()。A、所有导体表面上的电荷产生的B、场点附近的面电荷产生的C、该导体上全部电荷产生的D、该处无穷小面积元上的电荷产生的
有一电荷q及金属导体A,且A处在静电平衡状态,则()。A、导体内E=0,q不在导体内产生场强B、导体内E≠0,q在导体内产生场强C、导体内E=0,q在导体内产生场强D、导体内E≠0,q不在导体内产生场强
单选题应用安培环路定律φHdl=∑I,对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知()A在其外部,即rR处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同BrR处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度CrR处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D在其内部,即r
单选题应用安培环路定律∮LHdL=∑I,半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出()。A在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同Br>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度Cr>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
判断题通电导体磁场强度的分布规律是:导体中心的磁场强度等于零,磁场强度随导体半径增加而增加,在导体表面有极大值A对B错