晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C.发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏
晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
光敏三极管受光照控制的pn结是()。 A.集电结或发射结B.集电结C.集电结和发射结D.发射结
工作在放大状态的三极管，各极的电位应使三极管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
无论采用哪种连接方式，也无论是采用NPN型三极管还是PNP型三极管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结正偏、集电结正偏
当三极管工作于放大状态时，它的( )。A.发射结和集电结都处于正偏置B.发射结和集电结都处于反偏置C.发射结处于反偏置，集电结处于正偏置D.发射结处于正偏置，集电结处于反偏置
三极管工作在饱和区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结也加正向电压B、发射结加正向电压，集电结加反向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
三极管饱和导通状态是指三极管（）。A、发射结、集电结均处于正向偏置B、发射结、集电结均处于反向偏置C、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置D、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
当三极管的发射结反偏或两端电压为零时，三极管处于（）状态。A、饱B、恒流C、放大D、截止
三极管工作在放大区时，它的发射结保持（）偏置，集电结保持（）偏置。
三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A、发射结和集电结同时反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结和集电结同时正偏D、发射结反偏，集电结正偏
三极管放大的外部偏置条件是（）。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
光敏三极管的结构，可以看成普通三极管的（）用光敏二极管代替。A、集电极B、发射极C、集电结D、发射结
一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于（）状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于（）状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为（）状态。
所谓三极管工作在倒置状态，是指三极管（）。A、发射结正偏置，集电结反偏置B、发射结正偏置，集电结正偏置C、发射结反偏置，集电结正偏置D、发射结反偏置，集电结反偏置
半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结加反向电压B、发射结加反向电压，集电结加正向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏，集电结正偏