变压器绕组绝缘电阻测量时，铁心、外壳及非测量绕组应接地，测量绕组应短路，套管表面应清洁、干燥。采用5000V兆欧表测量。( )
三绕组变压器的零序保护是( )和保护区外单相接地故障的后备保护。A.高压侧绕组B.中压侧绕组C.低压侧绕组D.高低压侧绕组
三绕组变压器分接头的位置一般设置在（）。（A）高压和中压绕组 （B）高压和低压绕组（C）中压和低压绕组 （D）高压、中压和低压绕组
三绕组变压器的零序保护是( )和保护区外单相接地故障的后备保护。 (A)高压侧绕组；(B)中压侧绕组；(C)低压侧绕组；(D)高低压侧绕组。
三绕组变压器分接头的位置一般设在( )。A.高压和中压绕组B.高压和低压绕组C.中压和低压绕组D.高压、中压、低压绕组
三绕组变压器的零序保护是（ ）和保护区外单相接地故障后备保护A.高压侧绕组B.中压侧绕组C.低高压侧绕组D.高低压侧绕组
三绕组自耦变压器，高中压绕组中性点运行中必须永久接地，主要是为了防止高压侧单相接地时，中压侧产生过电压。
三绕组变压器的零序保护是（ ）和保护区外单相接地故障的后备保护。 高压侧绕组; 中压侧绕组; 低压侧绕组; 区外相间故障的后备保护
J31、三绕组变压器的零序保护是（ ）和保护区外单相接地故障的后备保护。（A）高压侧绕组； （B）中压侧绕组； （C）低压侧绕组； （D）高低压侧绕组。
64.三绕组自耦变压器，高中压绕组中性点运行中必须永久接地，主要是为了防止高压侧单相接地时，中压侧产生过电压。
三绕组变压器的分接头是装在（ ）。A.高压绕组B.高压绕组和低压绕组C.高压绕组和中压绕组D.中压绕组和低压绕组
三绕组升压变压器，在中间的绕组为（）。A、高压绕组B、中压绕组C、低压绕组D、无所谓
三绕组降压变压器高压绕组的额定容量应（）。A、为中压和低压绕组额定容量之和；B、与中压绕组容量相等；C、与低压绕组容量相等；D、与变压器的额定容量相等。
三绕组变压器的分接头，一般装在（）。A、高压绕组好低压绕组B、高压绕组和中压绕组C、中亚绕组和低压绕组D、三个绕组组装
在测量变压器绕组的绝缘电阻的吸收比时，非被试绕组应（）。A、开路B、短接接地C、对地绝缘
在测量变压器绕组的绝缘电阻和吸收比时，非被试绕组应（）.A、短路接地；B、对地绝缘；C、开路。
三绕组降压变压器的（）。A、低压绕组靠近铁芯，高压绕组在最外侧，中压绕组在中间B、低压绕组在最外侧，高压绕组靠近铁芯，中压绕组在中间C、低压绕组在中间，高压绕组在最外侧，中压绕组靠近铁芯D、低压绕组在最外侧，高压绕组在中间，中压绕组靠近铁芯
三双绕组降压变压器高压绕组的额定容量应（）。A、为中压和低压绕组额定容量之和；B、与中压绕组容量相等；C、与低压绕组容量相等；D、与变压器的额定容量相等。
测量变压器绕组绝缘电阻、吸收比或极化指数时，测量温度以绕组温度为准（）
变压器测量绕组绝缘电阻、吸收比前，应对被试绕组应充分放电（）
三绕组变压器的零序保护是（）和保护区外单相接地故障的后备保护。A、高压侧绕组B、中压侧绕组
绕组绝缘电阻测量时，铁芯、外壳及非测量绕组应（），测量绕组应（），套管表面应清洁、干燥。A、接地；短路B、接地；开路C、短路；接地D、开路；接地
三绕组降压变压器，高压绕组的额定容量为（）A、中压绕组和低压绕组额定容量之和B、与中压绕组容量相等C、与低压绕组容量相等D、与变压器的额定容量相等
测量双绕组变压器高压绕组及低压绕组吸收比时，（）应接地。A、低压绕组B、高、低压绕组C、高压绕组D、外壳
测量三绕组变压器高压绕组及中压绕组吸收比时，（）应接地。A、低压绕组B、中压绕组C、高压绕组D、外壳
单选题三绕组变压器的零序保护是（）和保护区外单相接地故障的后备保护。A高压侧绕组B中压侧绕组
多选题对于高压侧为110kV，中压为35kV和低压为10kV的1台三绕组变压器和1台高压侧为110kV，低压侧为10kV的双绕组变压器的测量和计量仪表的规定。电流表应当装在（）。A三绕组变压器的三侧B三绕组变压器的高压侧和中压侧C双绕组变压器的一侧D双绕组变压器高压侧