自动磨边工艺的特点包括:()。 A.加工成本低B.尺寸精度差C.磨边质量好D.抛光效果差

自动磨边工艺的特点包括:()。

A.加工成本低

B.尺寸精度差

C.磨边质量好

D.抛光效果差


相关考题:

可在磨边后的镜片边缘表面挖一定宽度和深度的沟槽,以备配装半框眼镜。A.打孔机B.抛光机C.磨边机D.开槽机

半自动磨边机的监控自动磨边过程中,镜片磨平后可自动移到V形槽砂轮上,进行抛光。( ) 半自动磨边机的监控自动磨边过程中,镜片磨平后可自动移到V形槽砂轮上,进行抛光。( )此题为判断题(对,错)。

前弧槽和后弧槽是( )槽型中的两种。A.抛光机B.开槽机C.手动摸边机D.自动磨边机

半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、镜片资料的设定、装夹模板镜片、加工镜片尺寸的调整、磨边启动、监控自动磨边过程。此题为判断题(对,错)。

半自动磨边机的监控自动磨边过程不包括( )。A.自动粗磨B.自动细磨C.自动磨尖角D.自动抛光

半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、装夹模板和镜片、( )、监控自动磨边过程。A.镜片材料的设定、磨边启动、加工镜片尺寸的调整B.镜片资料的设定、加工镜片尺寸的调整、磨边启动C.加工镜片尺寸的调整、磨边启动、镜片资料的设定D.磨边启动、镜片资料的设定、加工镜片尺寸的调整

自动磨边工艺的特点不包括:( )。A.磨边质量好B.尺寸精度高C.加工成本高D.抛光效果好

中心槽是( )槽型的一种。A.抛光机B.开槽机C.手动摸边机D.自动磨边机

使用模板磨边机加工渐进镜片的磨边步骤不包括:( )。A.渐进镜片的十字标记对准瞳孔中心B.使用定中心仪C.安装吸盘D.扫描镜架或衬片

用电脑扫描全自动磨边机制作眼镜的步骤:镜架类型的选择,输入远用单眼瞳距和距高,( )镜片材料的选择,尖边种类的选择。A.抛光材料的选择B.磨边速度的选择C.镜片厚度的选择D.压力的选择

自动磨边机磨边加工时间过长的原因是( )。A.镜片未夹正或皮带松了B.电机损坏或机头平衡不好C.水嘴不喷水或机头平衡不好D.砂轮常时间使用后变钝或砂轮寿命已到

数控机床加工零件时,具有加工精度和尺寸重复精度高,加工( )稳定性好的优点。 A. 质量B. 效率C. 成本D. 效果

半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、装夹模板镜片、镜片资料设定、()。 A.磨边启动、加工镜片尺寸的调整、监控自动磨边过程B.磨边启动、监控自动磨边过程、加工镜片尺寸的调整C.加工镜片尺寸的调整、磨边启动、监控自动磨边过程D.监控自动磨边过程、磨边启动、加工镜片尺寸的调整

从药物经济学的角度考虑.最佳的治疗方案是A.成本高,效果好B.成本低,效果好C.成本一般,效果差D.成本低,效果差E.成本一般,效果好

半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、镜片资料的设定、装夹模板镜片、加工镜片尺寸的调整、磨边启动、监控自动磨边过程。

半自动磨边机的监控自动磨边过程中,镜片磨平后可自动移到V形槽砂轮上,进行抛光。

半自动磨边机的监控自动磨边过程不包括()。A、自动粗磨B、自动细磨C、自动磨尖角D、自动抛光

半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、装夹模板和镜片、()、监控自动磨边过程。A、镜片材料的设定、磨边启动、加工镜片尺寸的调整B、镜片资料的设定、加工镜片尺寸的调整、磨边启动C、加工镜片尺寸的调整、磨边启动、镜片资料的设定D、磨边启动、镜片资料的设定、加工镜片尺寸的调整

自动磨边工艺的特点不包括()。A、磨边质量好B、尺寸精度高C、加工成本高D、抛光效果好

石板材的加工磨边主要是选择(),磨边加工一般要经过粗磨,细磨以及抛光等工序。A、磨轮片B、磨抛机C、磨光机D、磨边机

判断题半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、镜片资料的设定、装夹模板镜片、加工镜片尺寸的调整、磨边启动、监控自动磨边过程。A对B错

单选题半自动磨边机一般操作顺序是打开电源、装夹模板和镜片、()、监控自动磨边过程。A镜片材料的设定、磨边启动、加工镜片尺寸的调整B镜片资料的设定、加工镜片尺寸的调整、磨边启动C加工镜片尺寸的调整、磨边启动、镜片资料的设定D磨边启动、镜片资料的设定、加工镜片尺寸的调整

判断题半自动磨边机的监控自动磨边过程中,镜片磨平后可自动移到V形槽砂轮上,进行抛光。A对B错

单选题半自动磨边机的监控自动磨边过程不包括()。A自动粗磨B自动细磨C自动磨尖角D自动抛光

单选题硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

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