下列选项是门极可关断晶闸管的标识的是()。 A.FSTB.TRIACC.RCTD.GTO
目前()是电力电子装置的主导器件。 A.IGBTB.SCRC.RCTD.P-MOSFET
下列选项中是合法的标识符的是( )。A．12classB．+voidC．-5D．_black
下列( )选项是合法的标识符。A．123B．_nameC．classD．1 first
20、同为四层结构的GTO能够用负门极电流关断的原因是（）。A．GTO阴极条宽窄B．GTO阴极条宽宽C．GTO工作在深饱和状态D．GTO工作在临界饱和状态
下列选项中，用于标识为静态方法的是（）。A．@staticmethodB．@privatemethodC．@instancemethodD．@classmethood
下列选项中，用于标识为静态方法的是（）。A．@classmethodB．@instancemethodC．@staticmethodD．@privatemethod
下列器件中，属于电流型驱动的是（）A．GTRB．IGBTC．SCRD．GTO
如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：A．门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。B．门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。C．门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。D．门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。