光密介质中的合成场为()。 A、纵电场B、横磁场C、纵磁场D、横电场

光密介质中的合成场为()。

A、纵电场

B、横磁场

C、纵磁场

D、横电场


相关考题:

4、光疏介质和光密介质中合成场的等振幅面均平行于界面。

光密介质中合成场的传播相速度和群速度均可以大于真空中的光速。

6、光密介质中的合成场为()。A.横电场B.横磁场C.纵电场D.纵磁场

光密介质中合成场的传播相速度可以大于真空中的光速。

光密介质中合成场的群速度能够大于真空中的波速。

22、光密介质中合成场的传播相速度和群速度均可以大于真空中的光速。

3、光密介质中的合成场为()。A.横电场B.横磁场C.纵磁场D.纵电场

6、光密介质中合成场的传播相速度可以大于真空中的光速。

光密介质中的合成场为()。A.横电场B.横磁场C.纵电场D.纵磁场