晶体管的穿透电流ICEO是表明()。 A、该管温度稳定性好坏的参数B、该管允许通过最大电流的极限参数C、该管放大能力的参数
已知Y～N(μ，σ2)，则Y在区间［μ-1.96σ，μ+1.96σ］的概率为A、0.95B、0.05C、0.01D、0.99E、0.90
已知K1=1.0,K2=0.98,则K3=()。 A.1.0B.0.98C.0.99
已知Y~N(μ·σ),则Y在区间[μ－1.96σ,μ＋1.96σ]的概率为A.0.95B.0.05C.0.01SXB 已知Y～N（μ·σ），则Y在区间［μ-1.96σ，μ+1.96σ］的概率为A.0.95B.0.05C.0.01D.0.99E.0.90
已知某圆管水流的雷诺数Re=2000，则该管的沿程阻力系数λ=( )。A.0.028B.0.032C.0.064D.31.25
已知Y～N(μ，σ)，则Y在区间［μ-1.96σ，μ+1.96σ］的概率为A.0.95B.0.05C.0.01D.0.99E.0.90
已知y～N（μ，σ），则Y在区间【μ-1．96σ，μ+1．96σ】的概率为A.O．01B.O．95C.0．05D.0．99E.0．90
已知某无缝钢管的工作压力p为13.72MPa，外径Dw为60mm，许用应力［σ］为0.91MPa，计算该管的理论壁厚S，并选择该管的规格。
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定
已知某点的横坐标通用值为20365759.31m，则该点是在高斯投影分带的第（）带号内，其自然值是（）。
固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A、增加B、减少C、基本不变D、无法判断
已知10支晶体管中有3个次品，现从中不放回的连续依次取出两支，则两次取出的晶体管都是次品的概率是（）
在放大电路中，若测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V，则该管为（）A、NPN型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、PNP型硅管
某晶体管的集电极的最大允许耗散功率PCM=500mW，集电极最大允许电流ICM=500mA，在实际应用线路中测得它的集电极电流IC=100mA，UCE=6V，其后果为（）A、该管应过热而损坏B、该管可长期安全工作C、该管可安全工作、但将下降
如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管被击穿。
已知某晶体三极管的β=99，则该管的共基电流放大系数α为（）A、1.00B、0.995C、0.99D、0.985
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V，集电极电位为5V，则该管是（）型的晶体管，工作在（）状态。
固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）A、增加B、减少C、基本不变
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
已知K1=1.0，K2=0.98，则K3=（）。A、1.0B、0.98C、0.99
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
单选题某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A耗尽型管B增强型管C绝缘栅型D无法确定
单选题已知y～N（μ，σ2），则Y在区间【μ-1．96σ，μ+1．96σ】的概率为（）AO.95B0.05CO.01D0.99E0.90
单选题已知K1=1.0，K2=0.98，则K3=（）。A1.0B0.98C0.99
单选题已知某圆管水流的雷诺数Re=2000，则该管的沿程阻力系数A=（）。A0.028B0.032C0.064D31.25
单选题固定偏置放大电路中，晶体管的β=50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将（）。A增加B减少C基本不变D无法判断