晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
如果晶体三极管的(),则该管工作于饱和区。 A、发射结正偏置，集电结反偏置B、发射结正偏置，集电结正偏置C、发射结反偏置，集电结正偏置D、发射结反偏置，集电结反偏置
晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结正向偏置C、发射结反向偏置，集电结反向偏置D、发射结反向偏置，集电结正向偏置
普通沉降片的结构有（）A、片鼻B、片踵C、片眼D、片齿E、片颚
刀具长度偏置指令中，G44表示（）。A、左向偏置B、右向偏置C、正向偏置D、负向偏置
刀具长度位置指令中，G44表示（）。A、左向偏置B、右向偏置C、正向偏置D、负向偏置
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
下列不是沉降片部位的是（）。A、片鼻B、片喉C、片颚D、片孔
什么是沉降片双向运动技术，新型圆纬机上为什么要采用沉降片双向运动技术？
沉降片的作用是什么？试述多三角机的主要成圈机件及沉降片的运动轨迹。
短码偏置（SPN Offsets） 每个码片的空中时长为813.802ns，每（）码片分为一时延段，称之为一个短码偏置A、46个B、32个C、64个D、48个
A，B两个小区PN偏置分别为PA、PB；TA、TB表示基站A，B到移动台的时延（单位为码片），当（）时，两个不同偏置的信号经过空间传播到达手机后出现了相同的偏置。
所谓三极管工作在倒置状态，是指三极管（）。A、发射结正偏置，集电结反偏置B、发射结正偏置，集电结正偏置C、发射结反偏置，集电结正偏置D、发射结反偏置，集电结反偏置
光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
放大电路正常工作时要满足（）。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置，集电结反向偏置
单选题下列关于“偏置曲面”的说法，哪个是正确的（）。A偏置值只能为正B方向可以取反向C偏置对象只能是实体表面D偏置对象只能是片体
填空题（）命令可以偏置一个或多个连接的面或片体生成实体。
填空题A，B两个小区PN偏置分别为PA、PB；TA、TB表示基站A，B到移动台的时延（单位为码片），当（）时，两个不同偏置的信号经过空间传播到达手机后出现了相同的偏置。
单选题如果晶体三极管的（），则该管工作于饱和区。A发射结正偏置，集电结反偏置B发射结正偏置，集电结正偏置C发射结反偏置，集电结正偏置D发射结反偏置，集电结反偏置
单选题短码偏置（SPN Offsets） 每个码片的空中时长为813.802ns，每（）码片分为一时延段，称之为一个短码偏置A46个B32个C64个D48个
单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A发射结正向偏置，集电结反向偏置B发射结反向偏置，集电结正向偏置C发射结正向偏置，集电结正向偏置D发射结反向偏置，集电结反向偏置
问答题什么是沉降片双向运动技术，新型圆纬机上为什么要采用沉降片双向运动技术？
填空题在使用偏置面（Offset Face）和偏置曲面（Offset Surface）功能无法完成对面的偏置操作时，可以使用（）命令大致偏置一个距离，从而创建一个没有自相交、锐边或拐角的偏置片体。