当熔体中负离子集团以()的歪曲链状或环状方式存在时,对形成玻璃有利。A、低聚合B、不聚合C、高聚合D、A或C

当熔体中负离子集团以()的歪曲链状或环状方式存在时,对形成玻璃有利。

  • A、低聚合
  • B、不聚合
  • C、高聚合
  • D、A或C

相关考题:

小组中的沟通方式有:A、链状沟通地位B、丫状沟通角色C、轮状沟通D、环状沟通E、开放式沟通

直流系统对负载供电,应按电压等级设置分电屏供电方式,不应采用直流小母线供电方式; 直流馈出网络应采用( )供电方式,运行中严禁采用()供电方式。辐射状、环状$; $辐射状、链状$; $环状、链状$; $环状、辐射状

根据站用直流电源系统精益化评价细则,直流系统对负载供电,应按电压等级设置分电屏供电方式,不应采用直流小母线供电方式;直流馈出网络应采用( )供电方式,运行中严禁采用( )供电方式。(A)辐射状、环状 (B)辐射状、链状 (C)环状、链状 (D)环状、辐射状

直流系统对负载供电,应按电压等级设置分电屏供电方式,不应采用直流小母线供电方式;直流馈出网络应采用(??)供电方式,运行中严禁采用( )供电方式。(A)辐射状、环状 (B)辐射状、链状 (C)环状、链状 (D)环状、辐射状

根据站用直流电源系统精益化评价细则,直流系统对负载供电,应按电压等级设置分电屏供电方式,不应采用直流小母线供电方式;直流馈出网络应采用( )供电方式,运行中严禁采用( )供电方式。辐射状、环状 $;$辐射状、链状 $;$环状、链状 $;$环状、辐射状

熟料中的MgO以()存在是有害的。A、固熔体形式B、玻璃体C、单独结晶

不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构,形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低,形成玻璃()。A、越不容易B、越容易C、质量愈好D、质量愈差

如果熔体中阴离子集团是低聚合的,就不容易形成玻璃。

说明为什么熔体中阴离子集团不容易形成玻璃。

当生成物XA不是纯物质,而是处于某种溶液(熔体)中或形成另一复杂化合物时,其活度(),对反应有利。

真核生物染色体DNA主要以下列哪种形式存在()A、环状单链分子B、线性单链分子C、环状双链分子D、线性双链分子E、线性或环状双链分子

直流系统对负载供电,应按电压等级设置分电屏供电方式,不应采用直流小母线供电方式;直流馈出网络应采用()供电方式,运行中严禁采用()供电方式。A、辐射状、环状供B、辐射状、链状C、环状供、链状D、环状供、辐射状

往玻璃配合料或玻璃熔体中,加入一种高温时本身能气化或分解放出气体,以促进排除玻璃中气泡的物质称为()

变电站直流系统的馈出网络应采用()供电方式,严禁采用()供电方式。A、环状、辐射状B、环状、链状C、辐射状、环状D、辐射状、链状

单选题硅酸盐熔体中同时存在许多聚合程度不等的负离子团,其种类、大小和复杂程度随熔体的组成和温度而变。当温度不变时,熔体中碱性氧化物含量增加,O/Si比值增大,这时熔体中()。A高聚体数量增多B高聚体数量减少C高聚体数量多于低聚物数量D高聚体数量少于低聚物数量

填空题往玻璃配合料或玻璃熔体中,加入一种高温时本身能气化或分解放出气体,以促进排除玻璃中气泡的物质称为()

单选题真核生物染色体DNA主要以下列哪种形式存在()A环状单链分子B线性单链分子C环状双链分子D线性双链分子E线性或环状双链分子

单选题下列关于玻璃的组成叙述错误的是:()A位于相图中低共熔点的熔体比组成位于界线上的熔体的析晶能力小B组成位于界线上的熔体比组成位于初晶区的熔体的析晶能力小C玻璃中若出现析晶,就会破坏玻璃的均一性,是严重缺陷称为失透D玻璃的形成温度有叫做可拉成丝的最低温度

多选题质粒的结构特点有()A以环状双链DNA分子存在B质粒DNA有超螺旋结构C以环状单链DNA分子存在D质粒DNA有半开环结构E以环状双链RNA分子存在F质粒DNA有线性结构G以线性双链DNA分子存在

单选题不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构,形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低,形成玻璃()。A越不容易B越容易C质量愈好D质量愈差

单选题熟料中的MgO以()存在是有害的。A固熔体形式B玻璃体C单独结晶

问答题试述熔体粘度对玻璃形成的影响?在硅酸盐熔体中,分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化?为什么?

单选题当熔体中负离子集团以()的歪曲链状或环状方式存在时,对形成玻璃有利。A低聚合B不聚合C高聚合DA或C

填空题当生成物XA不是纯物质,而是处于某种溶液(熔体)中或形成另一复杂化合物时,其活度(),对反应有利。

问答题说明为什么熔体中阴离子集团不容易形成玻璃。

判断题如果熔体中阴离子集团是低聚合的,就不容易形成玻璃。A对B错

问答题网络外体(如Na2O)加到SiO2熔体中,使氧硅比增加,当O/Si≈2.5~3时,即达到形成玻璃的极限,O/Si3时,则不能形成玻璃,为什么?