使用OC门时:() A、可以实现线与B、使用时要外接电源和电阻C、不需要外接电源
晶闸管的三个引出电极分别是()。 A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
以下电路中常用于总线应用的有()。A.TSL门B.OC门C.漏极开路门D.CMOS与非门
以下电路中常用于总线应用的有()。A、OC门B、TSL门C、漏极开路门D、CMOS与非门
CMOS门的输出结构和TTL的类似，可以分成标准的、漏极开路及3态输出三种。()
以下电路中可以实现“线与”功能的有哪些(). A.与非门B.三态输出门C.集电极开路门D.漏极开路门
接入到ZXM10 IDCTR门禁控制器的外接门磁，在设置门磁类型时应设置为（）A、高电平有效B、低电平有效C、断路有效D、开路有效
IGBT触发控制极是（）A、漏极DB、源极SC、门极GD、基极B
CMOS漏极开路门的特点有（）。A、输出MOS管的漏极是开路的B、可以实现线与功能C、可以用来实现逻辑电平转换D、带负载能力强
普通晶闸管边上P层的引出极是（）A、漏极B、阴极C、门极D、阳极
施工过程中需要接外接电源时为防止触电必须使用什么设备？
电路中可以实现“线与”功能的有（）A、与非门B、三态输出门C、集电极开路门D、漏极开路门
集电极开路门的英文缩写为（）门，工作时必须外加（）和（）。
CMOSOD门（漏极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。
以下电路中可以实现“线与”功能的有（）。A、与非门B、三态输出门C、集电极开路门D、漏极开路门
以下电路中不能用于总线应用的有（）。A、TSL门B、OC门C、漏极开路门D、CMOS与非门
晶闸管的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极
可控硅的门极触发电流是从（）极流入晶闸管。A、阳极B、门极C、阴极D、漏极
三极管基极开路时在集射极之间的最大允许电压，称为（）。
在电子器件参数中，晶体三极管的穿透电流是指（）。A、发射极开路时，基极电流的大小B、发射极开路时，集电极电流的大小C、基极开路时，发射极电流的大小D、基极开路时，集电极电流的大小
远端机如需要同时外接天线和漏缆，接入设备时需要用（）将它们连接起来再进入远端机A、耦合器B、功分器C、避雷器D、终端负载
TTL门电路工作结构中的OC门指（）开路。A、发射极B、集电极C、基级D、其它皆错
多选题以下电路中可以实现“线与”功能的有（）。A与非门B三态输出门C集电极开路门D漏极开路门
单选题晶闸管的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、栅极B阳极、阴极、门极C栅极、漏极、源极D发射极、基极、集电极
多选题以下电路中不能用于总线应用的有（）。ATSL门BOC门C漏极开路门DCMOS与非门
多选题CMOS漏极开路门的特点有（）。A输出MOS管的漏极是开路的B可以实现线与功能C可以用来实现逻辑电平转换D带负载能力强
单选题IGBT触发控制极是（）A漏极DB源极SC门极GD基极B