场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
结型场效应管的漏极、源极可调换使用。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
227）下图为某一半导体三极管T的图形符号，由该图形符号可知该半导体三极管T是NPN型半导体三极管。（ ）
二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。A对B错
三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。
三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
可控硅内部由（）半导体交叠而成，有（）PN结，外部引出三个电极，分别称为阴极、阳极和控制极（又称门极）。
关于半导体二极管错误的说法是（）。A、由一个半导体加上电极引线与外壳构成B、由P区引出的电极称阳极C、由N区引出的电极称阴极D、共有两个极
关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
（）是由三个PN结四层半导体组成，引出3条连接线。A、晶闸管B、隧道二极管C、晶体二极管D、晶体三极管
半导体二极管是由（）PN结加上电极引线和管壳做成的。
三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型，NPN型三极管的结构是由两个（）的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极
半导体三极管是由（）极（）极（）极三个电极，（）结（）结两个PN结构成。
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
常用半导体二极管在一个PN结的两端各引出一个电极，从型半导体引出的电极是（），从N型半导体引出的电极是（）。A、正极；负极B、负极；正极
晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
二极管是由（）、电极引线以及外壳封装构成的。A、一个PN结B、P型半导体C、N型半导体D、本征半导体
单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A自由电了是多数载流子B在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
单选题（）是由三个PN结四层半导体组成，引出3条连接线。A晶闸管B隧道二极管C晶体二极管D晶体三极管
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。