焦炉在烘炉升温过程中，180~270℃为膨胀控制点，是由于（）晶型在发生转化，造成硅砖膨胀率增大。A.石英B.方石英C.磷石英D.石英玻璃
烘炉过程中，最大日膨胀率以（）为宜A.0.025~0.03B.0.03~0.035C.0.035~0.04D.0.04~0.045
烘炉计划是以（）为依据，确定烘炉天数A.烘炉用的燃料；B.公司领导的批示；C.硅砖的膨胀率；D.天气情况；
CompactVDI建议的市场规模是() A、100桌面以下B、100-300桌面C、300-500桌面D、500桌面以上
烘炉的关键是控制炉体的膨胀量，全炉每天线膨胀量在 ( )。A.0.01-0.03%B.0.03-0.05%C.0.05-0.07%D.0.07-0.09%
儿童血PLT正常值为A.(100－300)X109／LB.(50－100)X109／LC.(100－200)×109／LSX 儿童血PLT正常值为A.(100-300)X109／LB.(50-100)X109／LC.(100-200)×109／LD.(200--300)X109/LE.(150～300)X109／L
血小板计数正常参考范围是A.(10-50)×10/LB.(50-100)×10/LC.(100-300)×10/LD.(300-500)×10/LE.(500-700)×10/L
在烘炉过程中，硅砖的最大膨胀率发生在100-300℃之间。
锅炉初次启动烘炉时应先采用（）烘炉。A、小火B、1/3最大火量C、2/3最大火量D、大火
紫菜叶状体生长的补偿光照为（）A、100－300 luxB、300－500 luxC、500－700 luxD、700－900 lux
聚丙稀酰胺分子量范围为（）。A、30-50万B、300-500万C、100-300万D、500-700万
硅砖在使用过程中常发生（）。A、重烧膨胀B、残存膨胀C、重烧收缩D、残存收缩E、裂缝或坍塌
硅砖热风炉烘炉初期，其拱顶温度波动应控制在（）A、±2℃B、±5℃C、-2-+5℃
控制好（）温度，不使其上升过快，是硅砖热风炉烘炉的关键。
用硅砖砌筑的炉窑在加热烧烤过程中，应缓慢升温，以免因膨胀过激而使砌体破坏.
根据有关规定，注册资本为（）的外商投资企业，投资者分期出资的总期限为1年半。A、50-100万人民币B、50-100万美元C、100-300万美元D、100-300万人民币
二次搬运费根据实际路径距离计取，分为100-300米、300-500米、500-1000米、1000米以上4个等级，100米以内不计取。
在烘炉过程中，硅砖体积随着温度的升高而（）。A、增大B、不变C、减小D、先增大后减小
砌焦炉用硅砖在烘炉过程中，硅砖中的SiO2发生四个晶形转化点，其中（）的温度范围内体积变化最大。A、117℃B、163℃C、180~270℃D、573℃
判断题用硅砖砌筑的炉窑在加热烧烤过程中，应缓慢升温，以免因膨胀过激而使砌体破坏.A对B错
判断题在烘炉过程中，硅砖的最大膨胀率发生在100-300℃之间。A对B错
单选题砌焦炉用硅砖在烘炉过程中，硅砖中的SiO2发生四个晶形转化点，其中（）的温度范围内体积变化最大。A117℃B163℃C180~270℃D573℃