去大脑强直发作是由于()A、脑皮质广泛损害B、间脑损害C、小脑损害D、中脑损害E、延髓损害

去大脑强直发作是由于()

  • A、脑皮质广泛损害
  • B、间脑损害
  • C、小脑损害
  • D、中脑损害
  • E、延髓损害

相关考题:

小脑幕切迹疝出现意识障碍,其损害部位是A.延髓B.中脑C.脑桥D.丘脑E.大脑皮质

昏迷时中枢性神经源性过度通气见于( )。A.双侧半球或间脑损害B.中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C.脑桥下段或延髓被盖部损害D.延髓下部E.延髓上部

昏迷时长吸式呼吸见于( )。A.双侧半球或间脑损害B.中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C.脑桥下段或延髓被盖部损害D.延髓下部E.延髓上部

昏迷时陈--施呼吸的损害部位见于( )。A.双侧半球或间脑损害B.中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C.脑桥下段或延髓被盖部损害D.延髓下部E.延髓上部

小脑幕切迹疝时,出现意识障碍的损害部位是()A、大脑皮质B、丘脑C、中脑D、延髓E、桥脑

下列哪个部位损害严重时可导致呼吸、心脏骤停A、大脑B、间脑C、中脑D、小脑E、延髓

去大脑强直的损害部位是A.基底节B.小脑C.大脑D.中脑E.延髓

间脑损害的呼吸特点为________,中脑损害的呼吸特点为_____________,中脑下部和桥脑上部损害表现为________,桥脑下部和延髓上部损害时表现为__________。

昏迷时长吸式呼吸见于()。A、双侧半球或间脑损害B、中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C、脑桥下段或延髓被盖部损害D、延髓下部E、延髓上部

昏迷时中枢性神经源性过度通气见于()。A、双侧半球或间脑损害B、中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C、脑桥下段或延髓被盖部损害D、延髓下部E、延髓上部

昏迷时陈--施呼吸的损害部位见于()。A、双侧半球或间脑损害B、中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C、脑桥下段或延髓被盖部损害D、延髓下部E、延髓上部

节律深呼吸的损害水平().A、间脑B、中脑C、桥脑D、延髓E、脊髓

去大脑强直的损害部位是()。A、大脑B、小脑C、基底节D、中脑E、延髓

潮式呼吸的损害部位是()A、间脑B、中脑C、桥脑D、延髓E、脊髓

小脑幕裂孔疝时,出现意识障碍的损害部位是()A、大脑皮质B、丘脑C、中脑D、桥脑E、延髓

共济失调呼吸的损害水平()。A、脑桥B、中脑C、间脑D、延髓E、脊髓

单选题共济失调呼吸的损害部位是()。A间脑B中脑C桥脑D延髓E脊髓

单选题共济失调呼吸的损害水平()。A脑桥B中脑C间脑D延髓E脊髓

单选题小脑幕切迹疝时,出现意识障碍的损害部位是()A大脑皮质B丘脑C脑桥D中脑E延髓

单选题去大脑强直的损害部位是()A大脑B小脑C基底节D中脑E延髓

单选题昏迷时中枢性神经源性过度通气见于()。A双侧半球或间脑损害B中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C脑桥下段或延髓被盖部损害D延髓下部E延髓上部

单选题去大脑强直发作是由于()A脑皮质广泛损害B间脑损害C小脑损害D中脑损害E延髓损害

单选题节律深呼吸的损害水平().A间脑B中脑C桥脑D延髓E脊髓

单选题昏迷时陈--施呼吸的损害部位见于()。A双侧半球或间脑损害B中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C脑桥下段或延髓被盖部损害D延髓下部E延髓上部

填空题间脑损害的呼吸特点为________,中脑损害的呼吸特点为_____________,中脑下部和桥脑上部损害表现为________,桥脑下部和延髓上部损害时表现为__________。

单选题小脑幕裂孔疝时,出现意识障碍的损害部位是()A大脑皮质B丘脑C中脑D桥脑E延髓

配伍题昏迷时中枢性神经源性过度通气见于( )|昏迷时陈—施呼吸的损害部位见于( )|昏迷时长吸式呼吸见于( )A双侧半球或间脑损害B中脑或脑桥上段旁中央网状结构的损害C脑桥下段或延髓被盖部损害D延髓下部E延髓上部