单选题半导体温度每升高10℃其反向饱和电流将()A增加一倍B减少一倍C基本不变D增加二倍

单选题
半导体温度每升高10℃其反向饱和电流将()
A

增加一倍

B

减少一倍

C

基本不变

D

增加二倍


参考解析

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随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定

在半导体()结上加反向电压,当电压从零加到1伏时,反向电流从零增加到2微安。当反向电压继续增加时,反向电流不变,这个电流称为()饱和电流。

温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。() 此题为判断题(对,错)。

当环境温度升高时,半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大B、减小C、不变D、反向

当温度升高时,半导体的电阻将()。

晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而()。A、不变B、升高C、降低D、时高时低

有关硅半导体二极管,下述哪条说法是不正确的?()A、其正向开启电压为0.6~0.7伏B、其反向饱和电流较小,但随温升高而加大C、其正向导通电阻陡,工作点电流加大而减小D、其正向导通的交流电阻与直流电阻相等

为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?

当温度升高,硅二极管的反向饱和电流将()。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值

当环境温度升高时,三极管的反向饱和电流Iabo将会()。A、增大;B、减小;C、不变;D、反向。

关于反向饱和电流密度,以下说法中错误的是()A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。

二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。

温度增加,极电极的反向饱和电流()。

二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA

当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将()

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小

温度升高时,BJT的电流放大系数β(),反向饱和电流ICEO(),发射结电压UBE()

为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关,而当环境温度升高时又显著增大?

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将要()。A、增加B、减小C、不变

当温度升高时,晶体二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、不能确定

问答题为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?

单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A10μAB15μAC20μAD40μA

填空题当温度升高时,半导体的电阻将()。

单选题有关硅半导体二极管,下述哪条说法是不正确的?()A其正向开启电压为0.6~0.7伏B其反向饱和电流较小,但随温升高而加大C其正向导通电阻陡,工作点电流加大而减小D其正向导通的交流电阻与直流电阻相等