单选题半导体温度每升高10℃其反向饱和电流将（）A增加一倍B减少一倍C基本不变D增加二倍

单选题
半导体温度每升高10℃其反向饱和电流将（）
A

增加一倍

B

减少一倍

C

基本不变

D

增加二倍

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随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
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当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定
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在半导体()结上加反向电压,当电压从零加到1伏时,反向电流从零增加到2微安。当反向电压继续增加时,反向电流不变,这个电流称为()饱和电流。
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温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。() 此题为判断题(对，错)。
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当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大B、减小C、不变D、反向
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当温度升高时，半导体的电阻将（）。
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晶体三极管的反向饱和电流随温度升高而（）。A、不变B、升高C、降低D、时高时低
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有关硅半导体二极管，下述哪条说法是不正确的？（）A、其正向开启电压为0.6～0.7伏B、其反向饱和电流较小，但随温升高而加大C、其正向导通电阻陡，工作点电流加大而减小D、其正向导通的交流电阻与直流电阻相等
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为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
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当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值
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当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大；B、减小；C、不变；D、反向。
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关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
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二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。
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温度增加，极电极的反向饱和电流（）。
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二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
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当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小
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当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
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温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将（）
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当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、不变C、减小
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温度升高时，BJT的电流放大系数β（），反向饱和电流ICEO（），发射结电压UBE（）
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为什么二极管的反向饱和电流与外加电压基本无关，而当环境温度升高时又显著增大？
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当温度升高时，二极管的反向饱和电流将要（）。A、增加B、减小C、不变
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当温度升高时，晶体二极管的反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、不能确定
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问答题为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
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单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A10μAB15μAC20μAD40μA
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