半导体静态RAM靠【 】存储信息，半导体动态RAM靠电容存储电荷的原理来存储信息。
电容体是两个互相靠近的导体，中间隔以A、导体B、电容体C、电介质D、电解质E、磁体
线路中单位时间内流过导体横截面上电量的大小,称为( )。A.电压B.电流C.电阻D.电容
干头发的导电性属于A、优导体B、良导体C、不良导体D、绝缘体E、电容体
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
影响放大电路高频特性的主要因素是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体极间电容和分布电容的存在C、半导体的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
一个孤立导体的电容决定于( )。A.所带的电量;B.所具有的电势;C.导体材料;D.几何形状和大小。
已知三芯对称的屏蔽电缆，如图所示，若将电缆中三个导体中的1、2号导体相连，测得另外一导体与外壳间的等效电容为36μF；若将电缆中三个导体相连，测得导体与外壳间的等效电容为54μF，则导体3与外壳间的部分电容C30及导体2、3之间的部分电容C23为（ ）。A．C30＝18μF，C23＝18μFB．C30＝18μF，C23＝12μFC．C30＝9μF，C23＝12μFD．C30＝9μF，C23＝18μF
球形电容器由两个同心的球壳导体， A、 B 组成， 如图 5 所示。 导体 A、 B 的半径分别为和RA 和 RB， 且 RA（1） 导体 A、 B 之间的电场强度；（2） 该电容器的电容
导体中有电流时，金属发热的原因是导体有（）。A、电阻B、电压C、电容D、电感
导体的电容跟它的制成材料有关，跟它的大小和形状无关。
导体周围产生的磁场与导体中所流过电流的比值叫做（）。A、电阻B、电容C、电感D、电压
工作电容是指回线两导体之间的电容，工作电容是电缆电气特性的一个主要参数。
实验证明，电流通过导体产生势能的大小与（）的平方成正比。A、电阻B、电压C、电流D、电容
影响放大电路高频特性的主要因素是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、放大电路的静态工作点不合适C、半导体管的非线性特性D、半导体管极间电容和分布电容的存在
一个孤立导体的电容决定于（）。A、所带的电量；B、所具有的电势；C、导体材料；D、几何形状和大小。
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性于D、放大电路的静态工信点不合适
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是半导体管极间电容和分布电容的存在，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
线路中单位时间内流过导体横截面上的电量的大小，称为（）。A、电压B、电流C、电阻D、电容
用做电容器介质的物质应是（）。A、导体B、半导体C、绝缘体
发动机起动时击穿火花塞间隙为电容放电，这个电容是指（）。A、低压触点上的并联电容B、低压电部分与周围导体间的分布电容C、点火线圈低压的层间电容D、周围导体与点火高压部分的分布电容
单选题N个导体所组成的条件中，导体两两之间都存在电容，这些电容与（）有关。A各导体所带电量B导体间的相对位置C各导体的电位D同时选择A和B
单选题两个相互平行的导体平板构成一个电容器，其电容与（ ）无关.A导体板上的电荷B平板间的介质C导体板的几何形状D两个导体板的相对位置
单选题两个相互平行的导体平板构成一个电容器，其电容与（）无关。A导体板上的电荷B平板间的介质C导体板的面积D两个导体板的相对位置
单选题两个相互平行的导体平板构成一个电容器，与电容无关的是（）A导体板上的电荷B平板间的介质C导体板的几何形状D两个导体板的相对位置