单选题晶体核中度混浊,皮质辐轮状混浊,瞳孔区皮质混浊约占50%,后囊下混浊约占50%,以下记录正确的是()AN2C4P3BN2C3P3CN3C3P4DN3C3P3EN2C4P4

单选题
晶体核中度混浊,皮质辐轮状混浊,瞳孔区皮质混浊约占50%,后囊下混浊约占50%,以下记录正确的是()
A

N2C4P3

B

N2C3P3

C

N3C3P4

D

N3C3P3

E

N2C4P4


参考解析

解析: 暂无解析

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后发性白内障是指()A、外伤引起晶体混浊B、由眼底退行性病变引起晶状体混浊C、由药物引起的晶体混浊D、由代谢障碍引起晶体混浊E、白内障囊外摘除术后残留的皮质及囊膜混浊

关于LOCSⅡ系统分类法错误的是()A、N表示晶状体核早期混浊B、C表示晶状体皮质透明C、P表示晶状体后囊膜下50%混浊D、C表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50%E、P表示晶状体后囊膜下3%混浊

不能发生混浊的晶状体的部位是()。A、前皮质B、后皮质C、核D、前后囊膜

青光眼斑是指位于()A、晶状体前囊下的片状白色混浊B、晶状体后囊下的片状白色混浊C、晶状体皮质的白色混浊D、晶状体核的白色混浊E、晶状体前极的白色混浊

高度近视引起的并发性白内障混浊部位多为()。A、前囊B、前囊下皮质C、核D、后囊E、后囊下皮质

关于LOCSⅡ系统分类法错误的是()A、N1表示晶状体核早期混浊B、C0表示晶状体皮质透明C、P1表示晶状体后囊膜下50%混浊D、C4表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50%E、P1表示晶状体后囊膜下3%混浊

触电引起晶状体哪些部位的混浊()A、核B、前囊下皮质C、后囊D、后囊下皮质E、前囊

晶体核中度混浊,皮质辐轮状混浊,瞳孔区皮质混浊约占50%,后囊下混浊约占50%,以下记录正确的是()A、N2C4P3B、N2C3P3C、N3C3P4D、N3C3P3E、N2C4P4

多选题触电引起晶状体哪些部位的混浊()A核B前囊下皮质C后囊D后囊下皮质E前囊

单选题高度近视引起的并发性白内障混浊部位多为( )A前囊B前囊下皮质C核D后囊E后囊下皮质

单选题关于LOCSⅡ系统分类法错误的是()AN1表示晶状体核早期混浊BC0表示晶状体皮质透明CP1表示晶状体后囊膜下50%混浊DC4表示晶状体皮质混浊占瞳孔区50%EP1表示晶状体后囊膜下3%混浊

单选题青光眼斑是指位于()A晶状体前囊下的片状白色混浊B晶状体后囊下的片状白色混浊C晶状体皮质的白色混浊D晶状体核的白色混浊E晶状体前极的白色混浊

单选题后发性白内障是指()A外伤引起晶体混浊B由眼底退行性病变引起晶状体混浊C由药物引起的晶体混浊D由代谢障碍引起晶体混浊E白内障囊外摘除术后残留的皮质及囊膜混浊