判断题通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。A对B错

判断题
通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。
A

对

B

错

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阐述光源半导体激光器LD和半导体发光二极管LED的主要区别和作用。
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电晕放电的伏安特性试验包括冷态伏安特性试验和热态伏安特性试验。（）A对B错
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直流电弧熄灭时在线路内串入电阻可以使（）.A、电弧伏安特性上移而与电路伏安特性脱离B、电弧伏安特性下移而与电路伏安特性脱离C、电路伏安特性上移而与电弧伏安特性脱离
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受调制的光源特性参数有哪些？
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用光敏二极管或光敏晶体管测量某光源的光通量是根据什么特性实现的（）。A、光谱特性B、伏安特性C、频率特性D、光电特性
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测量太阳电池的电学性能可以归结为测量它的（）。A、光谱响应B、光学特性C、伏安特性
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热敏电阻的主要特性有（）和伏安特性。
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在相同的电压和同样幅值的光照下，当入射光以不用频率的正弦波调制时，光敏元件输出的光电流和灵敏度会随调制频率的变化而变化的特性称为光电元件的（）。A、光照特性B、光谱特性C、伏安特性D、频率特性
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放大电路对不同频率的正弦输入信号的稳态响应称为（）。A、伏安特性B、正向特性C、频率特性
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放大电路对不同频率的正弦输入信号的稳态响应称为伏安特性。
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填空题根据电弧电流变化的快慢，其伏安特性有（）伏安特性和（）伏安特性之分。
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多选题PIN光电二极管的主要特性是（）A波长响应特性B量子效率和光谱特性C响应时间和频率特性D噪声
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问答题比较半导体激光器（LD）和发光二极管（LED）的异同。
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问答题阐述光源半导体激光器LD和半导体发光二极管LED的主要区别和作用。
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单选题在相同的电压和相同幅值的光强度下，当入射光以不同的正弦交变频率调制时，光敏元件输出的光电流I和灵敏度S随调制频率f变化的关系：I=f1（f）、、s=f2（f）称为（）。A频率特性B光照特性C光谱特性D伏安特性
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单选题关于半导体光伏器件，以下说法正确的是：（）A光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；B光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限C光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；D光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限；
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