单选题当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()A荧光B光电子C负离子D正离子E电子-空穴对

单选题
当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()
A

荧光

B

光电子

C

负离子

D

正离子

E

电子-空穴对


参考解析

解析: 暂无解析

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N型半导体中的多子是( )。 A.电子B空穴C正离子D负离子

关于光电效应的产物,正确的是A.轫致辐射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致辐射、负电子和负离子

不是光电效应产物的是A.光电子B.正离子C.特性放射D.俄歇电子E.负离子

光电效应产生的次级粒子( ) A.光电子B.正离子C.负离子D.俄歇电子

关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致放射、负电子和负离子

关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子S 关于光电效应的产物,正确的是A.轫致放射、光电子和正离子B.特征放射、光电子和负离子C.特征放射、正电子和正离子D.特征放射、光电子和正离子E.轫致放射、负电子和负离子

X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出A.荧光B.可见光C.低能x射线D.正电子E.电子空穴对

当X线照射到探测器的非晶晒层时,则产生一定比例的是()A、荧光B、光电子C、负离子D、正离子E、电子-空穴对

N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

半导体内的载流子是()。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴

X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出()A、可见光B、电子空穴对C、荧光D、正电子E、低能x射线

半导体中的载流子为()。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴

P型半导体的多数载流子是()。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子

N型半导体中的多子是()。A、电子B、空穴C、正离子D、负离子

在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。A、负离子B、空穴C、正离子D、电子-空穴对

P型半导体中多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子

在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

N型半导体以()导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子

单选题关于光电效应的产物,正确的是(  )。A韧致辐射、光电子和正离子B特征放射、光电子和负离子C特征放射、正电子和正离子D特征放射、光电子和正离子E韧致辐射、负电子和负离子

单选题半导体内的载流子是()。A正离子B负离子C自由电子D自由电子与空穴

单选题关于探测器说法,不正确的是(  )。A非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应

单选题非晶硅探测器接收一个X线光子可产生多少个光电子?(  )A600~800B800~1000C1000~1100D1100~1200E1200~1500

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单选题与光电效应无关的是(  )。A正离子B带电粒子C光电子D特性放射E负离子

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单选题N型杂质半导体中,多数载流子是()A正离子B负离子C空穴D自由电子