单选题一般情况下,“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近()的位置,“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近()的位置。A信源;室分天线B室分天线;信源C二功分器;室分天线D6dB耦合器;室分天线

单选题
一般情况下,“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近()的位置,“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近()的位置。
A

信源;室分天线

B

室分天线;信源

C

二功分器;室分天线

D

6dB耦合器;室分天线


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

某种三端无源器件(不考虑插损),当输入信号功率为36dBm时,测得输出端1的信号功率为29dBm,另一输出端测得的功率为35dBm,则此无源器件为() A.三功分器B.7:1耦合器C.二功分器D.4:1耦合器

一般情况下,“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近()的位置,“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近()的位置。 A.信源;室分天线B.室分天线;信源C.二功分器;室分天线D.6dB耦合器;室分天线

单系统总功率36dBm及以上时,腔体功分器常温电性能指标的输入口反射三阶互调抑制要求≤()。 A.-120dBcB.-130dBcC.-140dBcD.-150dBc

下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

根据《QB-J-003-2012室分分布系统设计规范》在进行室分系统设计时,应核算本站点信源的总功率,以在适当位置选用相应品质等级的室分器件,并在图纸上标注清楚。一般情况下,“单系统总功率()及以上型器件”应用于靠近信源的位置,“单系统总功率()及以下型器件”应用于靠近室分天线的位置。考虑到后续扩容需求,信源功率的取值可采用简化模型并保留一定的余量。 A.12dBmB.24dBmC.36dBmD.48dBm

不同功率等级(单系统总功率36dBm以上及以下型)的无源器件在哪些指标上存在差异? A.插损B.反射互调C.驻波比D.功率容量

关于OTUkFEC说法正确的有()。A、位置为OTUk信号帧的3825列到最后一列4080,共4行B、增加了最大单跨距距离或是跨距的数目,因而可以延长信号的总传输距离C、在一个光放输出总功率有限的情况下,可以通过降低每通道光功率来增加光通道数D、降低了对器件指标和系统配置的要求

()交流调压电路一般采用全控型器件,使电路的功率因数接近1。

根据分布系统中不同位置所需要的器件指标要求()、互调抑制。A、功率大小B、功率容限C、功率限度D、功率容度

在进行室分系统设计时,应核算站点信源的总功率,以在适当位置选用相应品质等级的室分器件,并在图纸上标注清楚。一般情况下,“单系统总功率()及以上型器件”应用于靠近信源的位置,“单系统总功率()及以下型器件”应用于靠近室分天线的位置。考虑到后续扩容需求,信源功率的取值可采用简化模型并保留一定的余量。A、24dBmB、48dBmC、36dBmD、12dBm

在超导磁储能系统中,功率调节系统一般采用基于()开关器件的PWM变流器,它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率,具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A、半控型B、全控型C、不控型D、以上均不对

开关电源的原理中,零电压开关转换是为().A、降低功率器件开关时的功率损耗;B、降低功率器件的电压;C、降低功率器件的负载;D、降低功率器件的电流.

以下哪项不是调试光功率的目的()。A、OSNR符合要求B、单波光功率均衡C、减少对无源器件的损伤D、避免非线性效应

压敏电阻是什么类型的防雷器件?()A、限压型B、限流型C、限功率型D、以上都是

波分系统中的下列器件不是必须的是()A、合波器件B、功率放大器件C、分波器件D、发送端波长转换器件

功率MOSFET是()型器件。A、全控B、半控

以下()项目,属于对光纤室内分布系统的测试项目。A、输入系统功率B、每天线端输入功率(要求小于10dBm)C、光输入、输出功率D、带外杂散小于-30dBmE、E.平坦度(要求峰-峰值小于2dF、互调(带内小于-36dBm)

某种三端无源器件(不考虑插损),当输入信号功率为36dBm时,测得输出端1的信号功率为29dBm,另一输出端测得的功率为35dBm,则此无源器件为:()A、二功分器B、三功分器C、7:1耦合器D、4:1耦合器

某种三端无源器件不考虑插损,当输入信号功率为36dBm时,测得耦合端的信号功率为26dBm,则此无源器件为().

不同功率等级(单系统总功率36dBm以上及以下型)的无源器件在哪些指标上存在差异?A、插损B、反射互调C、驻波比D、功率容量

填空题某种三端无源器件不考虑插损,当输入信号功率为36dBm时,测得耦合端的信号功率为26dBm,则此无源器件为().

单选题硅蓝光电池是(),使用时可直接使用其电压或电流输出信号。A功率输出型器件B电压输出型器件C电流输出型器件

多选题不同功率等级(单系统总功率36dBm以上及以下型)的无源器件在哪些指标上存在差异?A插损B反射互调C驻波比D功率容量

单选题在超导磁储能系统中,功率调节系统一般采用基于()开关器件的PWM变流器,它能够在四象限快速、独立地调节有功和无功功率,具有谐波含量低、动态响应速度快等特点。A半控型B全控型C不控型D以上均不对

多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是()。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT

单选题单系统总功率36dBm及以上时,腔体功分器常温电性能指标的输入口反射三阶互调抑制要求≤()。A-120dBcB-130dBcC-140dBcD-150dBc

多选题功率半导体器件按照驱动信号类型可分类为()。A不可控器件B电流驱动型C电压驱动型D半控型器件

多选题以下()项目,属于对光纤室内分布系统的测试项目。A输入系统功率B每天线端输入功率(要求小于10dBm)C光输入、输出功率D带外杂散小于-30dBmEE.平坦度(要求峰-峰值小于2dF互调(带内小于-36dBm)