二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
负载为大电感负载,单相桥式半控整流桥如不加续流二极管,在电路中出现触发脉冲丢失或者触发脉冲的延迟角α增大到180°时电路会出现()现象。A雪崩击穿B、二次击穿C、失控D、以上都不是
当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A、待机B、钳制C、击穿D、短路
（）：其工作原理是当没有瞬时过电压时为高阻扰，但随电涌电流和电压的增加其阻抗会不断减小，其电流电压特性为强烈非线性。用作此类装置的器件有：氧化锌、压敏电阻、抑制二极管、雪崩二极管等。
在伏安特性曲线上，在规定的脉冲直流电流IT（或IBR）或接近发生雪崩的电流条件下，雪崩击穿二极管（ABD管）两端测得的电压称之为（）。A、限制电压B、最大工作电压C、击穿电压D、残压
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP
（）就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管
为保持稳定的增益，雪崩光电二极管需要在温度变化的情况下进行（）补偿。A、湿度B、温度C、电压D、电流
雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应
光电检测器的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声和（）的倍增噪声。A、发光二极管B、雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管
增加二极管两端的反向偏置电压，在未达到（）电压前，二极管通过的电流很小。A、击穿B、最大C、短路D、最小
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
光接收机中，雪崩光电二极管引入的噪声为（）A、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声B、量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声C、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声D、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
单选题（）就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。A发光二极管BAPD雪崩光电二极管C双基极二极管D混频二极管
单选题光电检测器的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声和（）的倍增噪声。A发光二极管B雪崩光电二极管C双基极二极管D混频二极管
判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。A对B错
单选题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A灵敏度效应B温度效应C响应度效应D雪崩效应
多选题雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）A待机B钳制C击穿D短路
判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A对B错
单选题光接收机中，雪崩光电二极管引入的噪声为（）A光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声B量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声C量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声D量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声