判断题金属丝的电阻应变效应中,引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变A对B错

判断题
金属丝的电阻应变效应中,引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变
A

B


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相关考题:

外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件

下列关于电阻应变效应不正确的说法是______。A.电阻应变效应是电阻受外力作用变形引起的B.电阻受外力作用拉伸,阻值增大C.电阻应变效应和电阻的材料无关D.电阻应变效应和该电阻施加的电压无关

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。 A、金属丝几何尺寸的变化B、金属丝材料弹性模量的变化C、金属丝电阻率的变化D、金属丝压阻系数的变化

金属材料的电阻应变效应主要来自压阻效应。() 此题为判断题(对,错)。

压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小。() 此题为判断题(对,错)。

电阻应变片的灵敏度系数K指的是( )。A.应变片电阻值的大小B.单位应变引起的应变片相对电阻值变化C.应变片金属丝的截面积的相对变化D.应变片金属丝电阻值的相对变化

电阻应变片的灵敏度系数K指的是(  )。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化

金属导线的电阻应变效应,主要是受电阻丝几何尺寸改变的影响。( )

金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A、金属应变片主要利用压阻效应B、金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C、半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D、半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

金属丝的电阻应变效应中,引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料的电阻率的变化D、电阻截面积

金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化

在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。()

金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可

金属丝的电阻随着它所受的机械形变的大小而发生变化,这个现象称为金属电阻的()。A、应变效应B、压阻效应C、压电效应D、热电阻效应

金属应变片工作原理是利用()效应;半导体应变片工作原理是利用()效应。二者灵敏系数主要区别是:金属应变片的电阻变化主要由()引起的,半导体应变片的电阻变化主要由()引起的。

压阻式传感器和应变式传感器相比,工作原理类似,以下说法正确的是:()。A、两者都主要依靠改变电阻率和截面积而改变阻值大小;B、前者主要依靠改变电阻率改变阻值大小,后者主要依靠变形改变阻值大小;C、前者主要依靠变形改变阻值大小,后者主要依靠改变电阻率改变阻值大小;D、以上都对

金属丝的电阻随着它所受的机械变形(拉伸或压缩)的大小而发生相应的变化的现象称为金属的()。A、电阻形变效应B、电阻应变效应C、压电效应D、压阻效应

金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象称应变效应;固体受到作用力后电阻率要发生变化,这种现象称压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆弧部分使灵敏度K下降了,这种现象称为()。

当环境温度改变时,造成电能表幅值误差改变的主要原因是()。A、永久磁钢磁通量的改变B、转盘电阻率的改变C、电压线圈电阻值的改变D、电流铁芯导磁率的改变

当环境温度改变时,造成电能表相角误差改变的主要原因是()。A、永久磁铁磁通量的改变B、转盘电阻率改变C、电压线圈电阻值的改变D、铁芯损耗的改变

单选题金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A贴片位置的温度变化B电阻丝几何尺寸的变化C电阻丝材料的电阻率变化

填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

判断题金属丝的电阻应变效应中,引起电阻改变的主要原因是电阻率的改变A对B错

判断题压阻效应中由于几何形状改变引起的电阻变化很小A对B错

填空题当测量较小应变值时,应选用电阻应变效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

判断题在光的照射下材料的电阻率发生改变的现象称为外光电效应。()A对B错