晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.A、正向，反向B、正向，正向C、反向，反向D、反向，正向
晶体管三极管放大条件是( )。 A.发射结要正向偏置B.发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C.集电结要反向偏置D.发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
晶体管导通的条件是：（）A、阴极与阴极间加正向电压B、阴极与阴极加正电压，控制极与阴极间也加适当正向电压：C、控制极与阴极间加正向电压
3AD6型硅低频大功率晶体管可用于作为逆变器中功率晶体管。
进上塔的膨胀空气量受哪些条件限制（）。A、受上塔最大回流比的限制B、受上塔最小回流比的限制C、受上塔塔板数的限制D、受上塔最大回流比及塔板数的限制
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
反馈回来的异常情况区分为哪些（）A、受主观条件限制B、受客观条件限制C、在实施过程中出现了新的情况D、中途更换领导者
超高频调谐器要求高输入阻抗，低噪声系数以及大动态工作范围，为此，常选用（）担当高频放大器A、高频晶体管B、MOS场效应管C、低噪声晶体管D、大功率晶体管
大功率晶体管不能和（）靠的太正。A、大功率电阻B、高压电容C、热敏元件D、导线
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
晶体管导通的条件是阳极与阴极间加正向电压，同时在门极与控制极间也加正向电压，关断的条件是阳极电流（）维持电流。
晶体管三极管放大条件是（）。A、发射结要正向偏置B、发射结要正向偏置，集电结要反向偏置C、集电结要反向偏置D、发射结要反向偏置，集电结要正向偏置
填空题大功率晶体管简称（），通常指耗散功率（）以上的晶体管。
填空题小功率LED的正向电压是正向电流在（）时的电压。大功率LED的正向电压通常是是正向电流在（）的电压。
多选题反馈回来的异常情况区分为哪些（）A受主观条件限制B受客观条件限制C在实施过程中出现了新的情况D中途更换领导者
单选题在图像、伴音等放大电路中晶体管可选用（）。A高频晶体管B低频晶体管C中频晶体管D大功率晶体管