问答题在8088系统总线上扩充设计8K的字节的SRAM存储器电路。SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路74LS138。计算此RAM存储区的最高地址是多少。
问答题
在8088系统总线上扩充设计8K的字节的SRAM存储器电路。SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路74LS138。计算此RAM存储区的最高地址是多少。
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下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下，哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ
外围电路中某电路，使用8K×4位的SRAM存储器芯片构成256K×32位的Cache存储器。(26)片，存储器地址码位数是(27)，单个芯片的地址码位数是(28)。A．256B．128C．512D．255
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中哪两个叙述是错误的?A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ
某微机系统中，用2片EPROM2716（2K×8）和2片SRAM2114（1K×4）组成存储器系统。已知EPROM在前，SRAM在后，起始地址为0800H。试写出每一存储芯片的地址空间范围。
在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少？
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
单选题下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A①和②B②和③C③和④D①和④
问答题在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少？
问答题某微机系统中，用2片EPROM2716（2K×8）和2片SRAM2114（1K×4）组成存储器系统。已知EPROM在前，SRAM在后，起始地址为0800H。试写出每一存储芯片的地址空间范围。
问答题已知一个SRAM芯片的容量为8K×8和64K×8，地址线、数据线各为多少？