判断题在磁光晶体中,当磁化强度较弱时,旋光率与外加磁场强度是成正比关系。A对B错

判断题
在磁光晶体中,当磁化强度较弱时,旋光率与外加磁场强度是成正比关系。
A

B


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相关考题:

比旋度是指( )。A. 在一定条件下,偏振光透过长1dm,且含1g/mL旋光物质的溶液时的旋光度B.在一定条件下,偏振光透过长1cm,且含1g/mL旋光物质的溶液时的旋光度C.在一定条件下,偏振光透过长1dm,且含1%旋光物质的溶液时的旋光度D.在一定条件下,偏振光透过长1mm,且含1mg/mL旋光物质的溶液时的旋光度E.在一定条件下,偏振光透过长1dm,且含1mg/mL旋光物质的溶液时的旋光度

关于NaI(Tl)晶体闪烁探测器,正确说法是A、光电倍增管工作在饱和区,其输出脉冲幅度与样品的放射性活度成正比B、探测器的输出脉冲幅度与射线在光电倍增管中损失的能量成正比C、光导的作用是把闪烁光从光阴极引向晶体D、探测器的输出脉冲幅度与射线在晶体中损失的能量成正比E、要求给晶体提供高稳定度的电压

由线圈中磁通变化而产生的感应电动势的大小与( )成正比。A、磁通变化量B、磁通大小C、磁通变化率D、磁场强度

斜方晶系光性方位是光率体的()与晶体的3个结晶轴()。

比旋度是指()。A、在一定条件下,偏振光透过长1dm,且含1g/mL旋光物质的溶液时的旋光度B、在一定条件下,偏振光透过长1cm,且含1g/mL旋光物质的溶液时的旋光度C、在一定条件下,偏振光透过长1dm,且含1%旋光物质的溶液时的旋光度D、在一定条件下,偏振光透过长1mm,且含1mg/mL旋光物质的溶液时的旋光度

实践证明,在没有达到磁饱和前,矿粒的磁化强度与外磁场强度成反比变化。

透镜的屈光力与焦距的关系为()。A、成正比的关系B、焦距越短,屈光力越小C、焦距越长,屈光力越大D、焦距越短,屈光力越大

下列有关磁化曲线的正确叙述为()。A、 磁化曲线表示磁场强度H与磁感应强度B的关系B、 经过一次磁化后,把磁场强度降为零时的磁通密度称为饱和磁通密度C、 在铁磁材料中,磁场强度通常与磁通密度成正比D、 经过一次磁化后,把磁场强度降为零时的磁通密度称为矫顽力

正交偏光镜下影响矿物的消光与干涉的因素有()及光程差两个方面。光程差与()和()成正比,当光程差等于波长的整数倍时,视域全黑 。当光率体与光轴平行时,视域黑暗,旋物台一周视域出现四次消光 。

影响干涉与消光的因素有()A、晶体的光学性质B、入射光的波长C、光率体主轴与偏光振动方向的夹角D、晶体的轴性

光率体是表示光波在晶体中传播时光波的振动方向与相应的折射率之间关系的一种光性指示体。均质体的光率体为一个(),一轴晶光率体为(),并且有正负之分,正一轴晶光率体的特点是长轴为(),又称(),光沿此方向振动的折射率最大。负一轴晶光率体的特点是短轴为旋转轴,光沿此方向振动的折射率最小

一轴晶光率体在应用中,垂直入射光方向通过光率体中心的切面为()或者(),前者长短半径方向分别代表入射光发生双折射后两束偏光的振动方向,其长度代表相应的(),长短半径之差代表()。当光垂直光轴入射时,双折射率最大,当光平行光轴入射时,双折射率为0

当线圈中没有铁磁材料时,线圈的磁通Φ与线圈的I之间的关系是()A、成反比B、成正比C、磁化曲线D、无关

被测物质的呈色反应符合Lambert-Beer定律时,其浓度与最后“有色""产物吸光度的关系是()。A、浓度与吸光度成正比,且与光径有关B、浓度与陈先度成正比,与光径无关C、浓度与吸光度成反比,与光径有关D、浓度与吸光度成反比,与光径无关

磁化强度越大,则漏磁场越大,但当被检查部件达到磁饱和后,磁场强度再继续增加,漏磁也不再增大。

铁磁材料在磁化过程中,当外加磁场 H不断增加,而测得的磁场强度几乎不变的性质称为()。A、磁滞性B、剩磁性C、高导磁性D、磁饱和性

单斜晶体光性方位是晶体的b轴与光率体的3个主轴之一(),光率体的其余两个主轴与晶轴()。

斜方晶系晶体的光性方位是:晶体的3个结晶轴与光率体的主轴都()。

三斜晶系晶体的光性方位是:晶体的3个结晶轴与光率体的3个主轴都()。

光率体主轴与3个晶体结晶轴之间的关系称为:().A、消光角B、光性方位C、消光位

磁路中的磁通与()成正比。A、磁阻B、磁路对磁通的阻碍C、磁通势D、磁场强度

填空题光率体是表示光波在晶体中传播时,()之间关系的一种光性指示物。

填空题光率体是表示光波在晶体中传播时,光波的()与()之间关系的一种光性指示体。

判断题磁化强度越大,则漏磁场越大,但当被检查部件达到磁饱和后,磁场强度再继续增加,漏磁也不再增大。A对B错

填空题正交偏光镜下影响矿物的消光与干涉的因素有()及光程差两个方面。光程差与()和()成正比,当光程差等于波长的整数倍时,视域全黑 。当光率体与光轴平行时,视域黑暗,旋物台一周视域出现四次消光 。

多选题影响干涉与消光的因素有()A晶体的光学性质B入射光的波长C光率体主轴与偏光振动方向的夹角D晶体的轴性

单选题关于NaI(Tl)晶体闪烁探测器,正确说法是()。A光电倍增管工作在饱和区,其输出脉冲幅度与样品的放射性活度成正比B探测器的输出脉冲幅度与射线在光电倍增管中损失的能量成正比C光导的作用是把闪烁光从光阴极引向晶体D探测器的输出脉冲幅度与射线在晶体中损失的能量成正比E要求给晶体提供高稳定度的电压