标称发射功率偏置(NOM_PWR)的缺省值是0,它的单位是什么()。A、dBB、dBmC、dBiD、dBd

标称发射功率偏置(NOM_PWR)的缺省值是0,它的单位是什么()。

  • A、dB
  • B、dBm
  • C、dBi
  • D、dBd

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以下哪些参数会影响手机的接入时间?() A.INIT_PWR接入时初始功率偏置B.PWR_STEP接入时的功率提升步长C.NUM_STEP接入探测数D.NOM_PWR指定发射功率偏置

晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置

晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结正向偏置C、发射结反向偏置,集电结反向偏置D、发射结反向偏置,集电结正向偏置

当晶体管截止时,它的发射结必须是()偏置或()偏置。

接入数据信道功率相对于导频信道功率的标称偏置为() A.OpenLoopAdjustB.ProbeInitialAdjustC.PowerStepD.DataOffsetNom

接入信道发射功率控制参数有()。 A.标称发射功率偏置(NOM_PWR)B.接入的初始功率偏置(INIT_PWR)C.功率增量(PWR_STEP)D.接入试探次数(NUM_STEP)

标称发射功率偏置(NOM_PWR)的缺省值是0,它的单位是什么()。 A.dBB.dBmC.dBiD.dBd

任何一种机车,它的功率是一定的,叫做标称功率。

晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

功率是什么?怎么测量它?它的单位是什么?

三极管工作在放大区时,它的发射结保持()偏置,集电结保持()偏置。

M900 RRU载频功率缺省值为()W,此时RRU支持发射合路或者发射独立,当选择其它功率类型时仅支持发射独立。A、12B、15C、25D、30

晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置,它的工作状态是()A、截止B、放大C、饱和D、损毁

下行DPCH最大发射功率MAximumDLPoweR是指专用下行DPCH的最大下行发射功率相对于小区内()信道的发射功率的偏置量。A、SCCPCHB、PCCPCHC、DwPCHD、PICH

反向功率控制参数表(REVPARA)中主要有哪些参数?()A、NOM_PWR(指定发射功率偏置)B、INIT_PWR(接入时初始功率偏置)C、PWR_STEP(接入时的功率提升步长)D、THRESHOLD_POWER_UP(功率提升步长)

NOMPWR(指定发射功率偏置),这个值的设定应该与()与()有关。一旦实际的辐射功率定下来,则此标称值就已确定。

NOMPWR(指定发射功率偏置),这个值的设定应该与实际有效辐射功率与标称功率偏移有关。一旦实际的辐射功率定下来,则此()就已确定。

以下哪些参数会影响手机的接入时间?()A、INIT_PWR接入时初始功率偏置B、PWR_STEP接入时的功率提升步长C、NUM_STEP接入探测数D、NOM_PWR指定发射功率偏置

接入信道发射功率控制参数有()。A、标称发射功率偏置(NOM_PWR)B、接入的初始功率偏置(INIT_PWR)C、功率增量(PWR_STEP)D、接入试探次数(NUM_STEP)

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填空题NOMPWR(指定发射功率偏置),这个值的设定应该与实际有效辐射功率与标称功率偏移有关。一旦实际的辐射功率定下来,则此()就已确定。

单选题当三极管工作于放大状态时,它的()。A发射结和集电结都处于正偏置B发射结和集电结都处于反偏置C发射结处于反偏置,集电结处于正偏置D发射结处于正偏置,集电结处于反偏置

多选题接入信道发射功率控制参数有()。A标称发射功率偏置(NOM_PWR)B接入的初始功率偏置(INIT_PWR)C功率增量(PWR_STEP)D接入试探次数(NUM_STEP)

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