三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于()。A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C.发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏
三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
光敏三极管受光照控制的pn结是()。 A.集电结或发射结B.集电结C.集电结和发射结D.发射结
位于集电区与基区之间的PN结称为()。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确
用万用表R×100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现最小的阻值，则这只晶体管（）。A、两个PN结都被烧断B、两个PN结都被击穿C、只是发射结被击穿D、只是发射结被烧断E、只是集电结被烧断
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
单结晶体管有一个PN结，两个基极，因此称为单结三极管。（）
下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
PN结位于发射区与基区之间被称为（）。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
半导体三级管是由两个PN结构成的（）元件。根据两个PN结的排列顺序，三级管分为PNP型和NPN型。
半导体三极管内部有发射区、基区和集电区三部分，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
晶体三级管电流放大的偏置条件是（）。A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结正偏
用万用表测得三极管的任意两极间的电阻均很小，说明该管（）。A、二个PN结均击穿B、发射结击穿，集电结正常C、二个PN结均正常D、集电结击穿发射结正常
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结D、集合结
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射结和（）。A、集中结B、集成结C、集电结
半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏，集电结正偏
单选题由于三极管有发射结和集电结两个PN结，因此，可根据PN结（）的特点，利用万用表的欧姆挡来判别三极管是NPN型还是PNP型。A正向电阻小、反向大B反向电阻小、正向大C正向电阻小、反向电阻也小