晶体管的专利申请时间是（）。A、1945年B、1946年C、1947年D、1948年

晶体管的专利申请时间是（）。

  • A、1945年
  • B、1946年
  • C、1947年
  • D、1948年

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专利保护期限的起始时间是（　）。A、专利申请日B、专利授权日C、评估基准日D、评估报告日
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PWM型晶体管调压器的调压方法是（）。A、改变晶体管开关的频率B、改变晶体管导通的时间C、改变晶体管的电阻大小D、改变晶体管的放大倍数
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晶体管继电保护装置动作时间以（）计。A、分B、秒C、毫秒D、微秒
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某建材公司发明了一种仿古瓷砖，在国内市场上销售一段时间后，该公司就该瓷砖的相关内容提出专利申请。上述销售行为在下列哪些情形下不会影响该专利申请的新颖性？（）A、公司提出的是该仿古瓷砖的外观设计专利申请B、公司提出的是关于该仿古瓷砖外部构造的实用新型专利申请C、公司提出的是关于该仿古瓷砖原料的发明专利申请，其原料配方无法从瓷砖中分析得出D、公司提出的是关于该仿古瓷砖的制备方法专利申请
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晶体管关断时间：从输入信号消失开始到输出信号下降其幅值的（）为止的时间。A、50％B、40％C、30％D、10％
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单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于（）。A、触发电路的充、放电时间常数B、单结晶体管的谷点电流C、单结晶体管的分压比D、单结晶体管的谷点电压
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专利申请许可合同签订的时间是（）A、专利申请之前B、专利申请日确定之后C、专利被批准之后D、专利申请之后
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我国确定专利申请的时间以（）为单位。A、小时B、半天C、天D、周
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跟DRAM相比，SRAM的特点是（）A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
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晶体管点火装置不需校正点火时间。
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焊接晶体管时，正确的操作方法是（）。A、可长时间加温B、焊接时间不宜过长C、电烙铁功率越大越好D、焊锡越多越好
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功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
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晶体管的开关时间是指（）。A、开通时间B、关闭时间C、开通时间与关闭时间的总称D、晶体管的存储时间
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在采购功率双极晶体管时，必须提供的两个最主要的参数是（）A、集电极最大持续电流B、关断时间C、电流时间D、开路阻断电压
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晶体管式时间继电器是根据RC电路充放电原理获得延时动作的。
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晶体管调压器中，晶体管的导通比指的是：（）.A、晶体管的相对导通时间B、晶体管的导通时间C、晶体管的截止时间D、晶体管的相对截止时间
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在晶体管调压器中，当发电机电压升高时，晶体管处于：（）.A、导通时间长，截止时间短B、导通时间短，截止时间长C、导通时间和截止时间都短D、导通时间和截止时间都长
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晶体管调压器中，晶体管的占空比：（）A、与晶体管的相对导通时间成正比；B、与晶体管的导通时间成正比；C、与晶体管的截止时间成正比；D、与晶体管的相对截止时间成正比。
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晶体管继电保护装置中，各种延时电路是利用电容充电或放电需要一定的时间的原理配合晶体管开关特性而构成的。
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时间继电器按动作原理可分为（）及空气式等几大类。A、电动式、晶体管式B、电磁阻尼式、晶体管式C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式
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单结晶体管触发电路输出的脉冲宽度主要决定于（）A、单结晶体管的特性B、电源电压的高低C、电容的放电时间常数D、电容的充电时间常数
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时间继电器按其动作原理可分为（）及空气式等几大类。A、电动式、晶体管式B、电磁阻尼式、晶体管式C、电磁阻尼式、电动式、晶体管式D、电动式、电磁阻尼式
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单选题跟DRAM相比，SRAM的特点是（）A每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高B每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高C每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高D每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
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单选题晶体管的专利申请时间是（）。A1945年B1946年C1947年D1948年
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单选题焊接晶体管时，正确的操作方法是（）。A可长时间加温B焊接时间不宜过长C电烙铁功率越大越好D焊锡越多越好
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单选题专利申请许可合同签订的时间是（）A专利申请之前B专利申请日确定之后C专利被批准之后D专利申请之后
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单选题我国确定专利申请的时间以（）为单位。A小时B半天C天D周
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