位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）

位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）

相关考题：

在原子吸收法中,能够导致谱线峰值产生位移和轮廓不对称的变宽是自吸变宽。() 此题为判断题(对，错)。
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在金属晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。A、间隙原子B、位错，位移C、晶界，亚晶界D、缩孔，缩松
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材料中的空洞、夹杂物等原子偏离周期排列的三位缺陷通常被称为（）。A、点缺陷B、线缺陷C、面缺陷D、体缺陷
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原子吸收光谱法中，产生多普勒效应的原因和影响是（）。A、待测原子与同类原子的碰撞引起谱线中心频率发生位移B、待测原子与其原子的碰撞引起谱线变宽C、待测原子受到同位素原子的影响引起谱线中心频率发生位移
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位错的形成原因是（）。A、位错就是由弹性形变造成的B、位错就是由重力造成的C、位错就是由范性形变造成的D、以上答案都不对
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在品体的缺陷中，有线缺陷和面缺陷，其中线缺陷有（）A、位错B、晶界C、空位D、异质原子
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所谓线缺陷，就是在晶体的某一平面上，沿着某一方向伸展的线状分布的缺陷。（）就是一种典型的线缺陷。A、间隙原子B、空位C、位错D、晶界
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在物质内部，凡是原子呈有序排列状况的称为（）。A、非晶体B、晶体C、亚晶界D、位错
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晶体中某处有一列或若干列原子发生有规律的错排现象，叫（）。A、空位B、位错C、位移D、空洞
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亚晶界是由（）。A、点缺陷堆积而成B、位错垂直排列成位错墙而构成C、晶界间的相互作用构成
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实际晶体的线缺陷表现为（）A、晶界B、位错C、空位和间隙原子D、亚晶界
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下述晶体缺陷中属于线缺陷的是（）A、空位B、位错C、晶界D、间隙原子
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在晶体缺陷中，属于点缺陷的有（）A、间隙原子B、位错C、晶界D、缩孔
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晶体中的面缺陷主要是指（）A、空位B、位错C、晶界D、间隙原子E、亚晶界
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判断题非晶质体是内部质点（原子、离子）在三维空间周期性重复排列的固体。A对B错
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单选题属于线缺陷（）。A堆垛层错B孪晶界C位错D间隙原子
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单选题下列属于实际金属晶点缺陷的有（）Ⅰ．空位；Ⅱ．位错；Ⅲ．置换原子；Ⅳ．间隙原子；Ⅴ．亚晶界。AⅠ+ⅤBⅠ+Ⅱ+Ⅲ+ⅣCⅠ+Ⅲ+ⅣDⅡ+Ⅲ+Ⅳ
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单选题在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。A低于B高于C等于D不确定
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单选题在晶体缺陷中，属于线缺陷的有（）A间隙原子B位错C晶界D缩孔
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单选题在晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。A间隙原子B位错C晶界
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单选题晶体缺陷按几何形态分为三类，即（）。A空位、线缺陷和晶界B置换原子、位错和亚晶界C点缺陷、线缺陷和面缺陷D理想晶体
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单选题实际晶体的线缺陷表现为（）A晶界B位错C空位和间隙原子D亚晶界
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单选题下述晶体缺陷中属于线缺陷的是（）A空位B位错C晶界D间隙原子
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单选题下列属于实际金属晶线缺陷的有（） Ⅰ．空位；Ⅱ．位错；Ⅲ．置换原子；Ⅳ．间隙原子；Ⅴ．亚晶界。AⅠ+ⅤBⅠ+Ⅱ+Ⅲ+ⅣCⅠ+Ⅲ+ⅣDⅡ
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单选题（）是指在晶体的某处有一列或数列原子发生了某种有规则的错排现象。A点缺陷B面缺陷C位错D亚晶界
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判断题禁止在自阀制动保压后，将自阀手柄从制动区或保压位移向运转位（或缓解位、保持位）后，又移回制动区或保压位（牵引带有阶段缓解装置的列车除外）。A对B错
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单选题在金属晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。A间隙原子B位错，位移C晶界，亚晶界D缩孔，缩松
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