需要刷新的存储器是()。A.SRAMB.DRAMC.ROMD.上述三种

需要刷新的存储器是()。

A.SRAM
B.DRAM
C.ROM
D.上述三种

参考解析

解析：ROM是只读存储器，职能对其存储的内容独处，而不能对其重新写入；SRAM是静态随机存储器，是以触发器原理寄存信息的；DRAM为动态随机存储器，以电容充放电原理寄存信息。电容上的电荷一般只能维持1～2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失，为此，必须在2ms内对所有的存储单元恢复一次原状态，这个过程称为再生或刷新。

相关考题：

有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
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由于动态存储器是破坏性读出,因此,需要刷新。() 此题为判断题(对，错)。
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静态存储器需要刷新,否则信息丢失。() 此题为判断题(对，错)。
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以下存储器中，需要周期性刷新的是（）。A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.EEPROM
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使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器是______。A．DRAMB．EPROMC．SRAMD．EEPROM
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在Intel 2164动态RAM存储器中，对存储器刷新的方法是( )。A．每次一个单元B．每次刷新512个单元C．每次刷新256个单元D．一次刷新全部单元
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需要进行刷新的存储器是( )。A．SRAMB．DRAMC．ROMD．EPROM
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需要进行刷新处理存储器的是( )A.ROMB.EPROMC.DRAMD.SRAM
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以下存储器中，需要周期性刷新的是（ ）。 A.DRAM B.SRAMC.FLASHD.EEPROM
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动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。A.集中刷新B.分散刷新C.同步刷新D.异步式刷新
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需要定期刷新的存储器类型为（）A、静态存储器B、动态存储器C、只读存储器D、易失性存储器
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需要刷新的存储器是_____。A、EPROM；B、EEPROM；C、静态RAM；D、动态RAM。
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静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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以下几种存储器中，需要定期刷新的是：（）A、静态RAMB、动态RAMC、EPROMD、FLASH
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需要定时刷新的存储器是（）A、SRAMB、DRAMC、EPROM
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半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。
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在工作过程中需要不断刷新的存储器是（）A、SRAMB、DRAMC、PROMD、NVRAM
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有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
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静态存储器需要刷新，否则信息丢失。
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在内存储器中，需要周期性刷新的信息来自（）A、PROMB、EPROMC、SRAMD、DRAM
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在计算机中，存储器分可刷新存储器和不可刷新存储器两种。
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单选题需要定期刷新的存储器类型为（）A静态存储器B动态存储器C只读存储器D易失性存储器
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判断题半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。A对B错
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单选题使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器是（）。ADRAMBEPROMCSRAMDEEPROM
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问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
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问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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判断题静态存储器需要刷新，否则信息丢失。A对B错
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