在高频放大器产生寄生耦合的几个原因中，用工艺的安排解决不了的原因是()。A.晶体管的内部反馈B.电源去耦C.晶体管极间的接线和元件之间的分布电容D.接地点不当或接地点过长
在高频放大电路中，常用()来消除晶体管内部反馈的影响。A.缩短接线和大面积接地的方法B.缩短接线和失配法C.大面积接地和中和法D.失配法和中和法
在高频放大器产生的寄生耦合的几个原因中,用工艺的安排解决不了的原因是() A、晶体管内部反馈B、电源去耦不良C、晶体管极间的接线和元器件之间的分布电容D、接地点不当或接地点过长
在高频放大器产生寄生耦合的几个原因中，用工艺的安排解决不了的原因是（）。A、晶体管的内部反馈B、电源去耦不良C、晶体管极间的接线和元件之间的分布电容D、接地点不当或接地点过长
造成晶体管交流放大电路信号失真的原因是（）。A、静态工作点位置太低B、静态工作点位置太高C、集电极电源能量小D、耦合电容的值太大E、输入信号的电压幅值太大
直接耦合放大电路静态工作点，发生变化的原因是（）。A、晶体管放大倍数低B、电阻器阻值变化C、晶体管参数受温度影响D、电源电压不稳定
下述选择项中，不影响高频小信号放大器稳定性的因素是（）。A、晶体管内部反馈B、输入信号一定范围内的动态变化C、公共电源的耦合D、输入、输出端之间空间电磁耦合
在高频放大电路中，常用（）来消除晶体管内部反馈的影响。A、缩短接线和大面积接地的方法B、缩短接线和失配法C、大面积接地和中和法D、失配法和中和法
直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。A、电阻阻值有误差B、采用阻容耦合方式C、晶体管参数受温度影响与电源电压不稳定D、晶体管参数的分散性
下列选项（）不是PLC的抗干扰措施。A、晶体管输出B、电源滤波C、可靠接地D、光耦合器
产生零漂的原因有（）A、信号干扰B、电源电压波动C、晶体管参数变化等D、温度变化E、元件老化
对于直接耦合放大器零点漂移影响最严重的因素是（）A、晶体管参数随温度变化B、电源电压的变化C、电路元件参数的变化D、A和B
放大器引起反馈寄生振荡的内部反馈主要由于晶体管的（）产生的。A、体电阻B、输入电阻C、输出电阻D、极间电容
在高频放大器中加入中和电容作用是（）。A、抵消晶体管内部反馈B、使信号源内阻不与晶体管输入阻抗匹配C、提高放大器的增益D、使晶体管输出端负载阻抗不与本级晶体管输入阻抗区配
除（）外，其它都是影响高频小信号放大器稳定性的因素。A、晶体管内部反馈B、输入信号一定范围内的动态变化C、输入、输出端之间空间电磁耦合D、公共电源的耦合
放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是（）A、耦合电容和旁路电路的存在B、晶体管极间电容和分布电容的存在C、晶体管非线性的影响D、放大电路的静态工作点设置不合理
用晶体管构成的三点式LC振荡电路中，谐振回路必须由（）个元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须（）性质，不与发射极相接的电抗元件必须与之（）性质，方能满足振荡的相位条件。
放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适
直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。
用晶体管构成的三点式LC振荡电路中，谐振回路必须由（）个电抗元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须（）性质，不与发射极相接的电抗元件必须与之（）性质，方能满足振荡的相位条件。
下列选项中（）不是PLC中回路并联连接用指令。A、可靠接地B、电源滤波C、晶体管输出D、光电耦合器
采用拉路的办法查找不到直流接地点的原因有（）。A、直流环路供电B、直流寄生回路C、同极两点或多点接地D、直流接地发生在直流电源上
直流放大器中，产生零点飘移的原因是（）。A、频率B、电源电压波动C、晶体管老化D、温度的变化
变频器控制系统检修时，主控元件性能检查中不作要求的是（）A、万用表测量各大功率晶体管极间的电阻值B、拆除变频器输出端外部接线，万用表测试各大功率晶体管的c、e极间电阻值C、拆除变频器输出端外部接线，送电检查变频器参数设置正确后，万用表测试各大功率晶体管的c、e极间电压值D、断开变频器的动力电源，控制电源送电，将速度给定值设为额定速度的20%左右，用示波器检查各大功率晶体管b、e极之间的波形
单选题在OCL电路中，引起交越失真的原因是（）A输入信号大B晶体管β过大C电源电压太高D晶体管输入特性非线性
填空题在放大电路中，由于晶体管的内部反馈，可能产生自激，防止的办法除正确选择晶体管的参数及控制各级放大倍数外，常采用（）电路。
单选题对于直接耦合放大器零点漂移影响最严重的因素是（）A晶体管参数随温度变化B电源电压的变化C电路元件参数的变化DA和B