CIGS系太阳能电池的特点是的（）和固有缺陷。A、单一的结晶相B、多样的结晶相C、少量的结晶相D、重复的结晶相
在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。A、凸透镜B、凹透镜C、聚光镜D、平光镜
在制造CIGS薄膜太阳能电池的方法中，广泛使用（）A、蒸镀法B、硒化法C、喷雾法D、吸收法
薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。 A、多晶体B、非晶体C、砷化镓D、单晶体
在制造CIGA薄膜太阳能电池的方法中，使用的是（）；（）。
太阳能电池分为晶硅片（）池和薄膜太阳能电池两大类。
在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
最近，使用（）CIGS太阳能电池的开发正在活跃进行中。
CIGS系太阳能电池的制造方法中，广泛使用（）；（），除此之外，还有喷雾法、镀金法。
在测定CIGS的太阳能电池时，常采用经过（）左右照射后再进行性能评价的方法
与硅系薄膜不同，由于CIGS是（）的材料，因此不能用激光加工，可用机械扫描。
下列太阳能电池中，现批量生产效率最高的是（）。A、单晶硅B、多晶硅C、硅基薄膜电池D、聚光太阳能电池
CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）应（）。A、≥10%B、≥13%C、≥15.5%D、≥17%
在太阳能电池制造技术的开发中，作为主流的结晶系太阳能电池有（）和薄膜多晶太阳能电池等。
CIGS太阳能电池，在室外对太阳光暴露时，可以表现出极其（）的性能，不存在非晶硅太阳能电池所看到的光致衰退现象
作为太阳能电池材料的评价最有效的方法，叫（），有可能测定太阳能电池在环境中的两极性扩散长度。
浅谈薄膜太阳能电池相对与晶硅片太阳能电池的优势和劣势。
新阳光计划中的太阳能电池制造技术研究开发包括（）A、结晶系太阳能电池B、薄膜太阳能电池C、新型a-si太阳能电池D、超高效率太阳电池
单选题薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。A多晶体B非晶体C砷化镓D单晶体
多选题新阳光计划中的太阳能电池制造技术研究开发包括（）A结晶系太阳能电池B薄膜太阳能电池C新型a-si太阳能电池D超高效率太阳电池
单选题CIGS系太阳能电池的特点是的（）和固有缺陷。A单一的结晶相B多样的结晶相C少量的结晶相D重复的结晶相