单选题由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（ ）。A能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
单选题
由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（ ）。
A
能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少
B
能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加
C
能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加
D
能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加
E
能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
参考解析
解析：
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高能电子束的PDD曲线可大致分为A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少
由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
在水模体内，射野大小30cm×30cm，其等剂量曲线特点是（）A、对于60Coγ射线，任何深度处等剂量由线射线中心轴上的值都是最小的，随着向射野边界靠近而增加B、对于60Coγ射线，任何深度处等剂量曲线射线中心轴上的值都是最小的，随着向射野边界靠近而减少C、对于兆伏级光子线，在浅层深度处，同一深度的离轴剂量通常比中心轴剂量大，这是由于均整块的设计所导致的D、对于兆伏级光子线，在浅层深度处，同一深度的离轴剂量通常比中心轴剂量大，这是由于散射箔的设计所导致的E、对于兆伏级光子线，在浅层深度处，同一深度的离轴剂量通常比中心轴剂量大，这是由于光子线的靶设计所导致的
中心轴百分深度剂量（PDD）定义为（）A、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与表面剂量的百分比B、射野中心轴上模体表面的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比C、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与模体最大深度剂量的百分比D、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比E、射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与空气中参考点处剂量的百分比
单选题由中心轴百分深度剂量（PDD）曲线可以看出，对于高能X（γ）射线（ ）。A能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少B能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加C能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加D能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加E能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少
单选题中心轴百分深度剂量（PDD）定义为（）A射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与表面剂量的百分比B射野中心轴上模体表面的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比C射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与模体最大深度剂量的百分比D射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与参考点深度处剂量的百分比E射野中心轴上某一深度处的吸收剂量与空气中参考点处剂量的百分比
单选题当高能电子柬能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（ ）。APDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加BPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加CPDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加DPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加EPDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少