单选题50～100μ；m的氧化铝主要用于（）A贵金属基底冠的粗化B半贵金属基底冠的粗化C非贵金属基底冠的粗化D去除铸件表面的包埋料E去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

单选题
50～100μ；m的氧化铝主要用于（）
A

贵金属基底冠的粗化

B

半贵金属基底冠的粗化

C

非贵金属基底冠的粗化

D

去除铸件表面的包埋料

E

去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜

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病人张某，女性，天然牙列为四环素牙，要求4321|1234做烤瓷美容修复。理想的氧化膜的厚度是A、0.2～2μmB、3～4μmC、5～6μmD、7～8μmE、9～10μm4321|1234从修复效果考虑，烤瓷合金选用哪种最佳A、贵金属B、半贵金属C、非贵金属D、钯银合金E、银合金粗化此种金属基底冠的表面的氧化铝粒度为A、20～30μmB、35～50μmC、55～70μmD、75～90μmE、95～110μm打磨此种基底冠时，应采用哪种磨头A、氧化铝车针B、氧化硅车针C、碳化硅车针D、金刚砂车针E、钨钢车针
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50～100μm的氧化铝主要用于A、贵金属基底冠的粗化B、半贵金属基底冠的粗化C、非贵金属基底冠的粗化D、去除铸件表面的包埋料E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
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贵金属烤瓷金属基底冠桥，用何种氧化铝砂作喷砂处理A、15～25μmB、25～35μmC、35～50μmD、50～100μmE、100～120μm
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打磨后贵金属基底冠的表面喷砂粗化应选用的氧化铝直径是A．80～100μmB．35～50μmC．0.2～2μmD．50～100μmE．0.5～3μm
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金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
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金属基底冠铸造后的处理步骤正确的有A．去除铸件表面的包埋料B．表面机械处理、抛光C．清洁处理D．表面酸蚀处理E．除气、预氧化
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50～100p；micro；m的氧化铝主要用于( )。A、贵金属基底冠的粗化B、半贵金属基底冠的粗化C、非贵金属基底冠的粗化D、去除铸件表面的包埋料E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
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技师制作贵金属烤瓷全冠，其金属基底冠打磨完成喷砂粗化时应选用A．50～100μm氧化铝砂B．35～50μm氧化铝砂C．50～100μm石英砂D．35～50μm石英砂E．150～200μm氧化铝砂
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金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）A、去除铸造过程中形成的氧化膜B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C、排除合金中残留的气体D、避免瓷熔附时出现气泡E、在基底表面形成氧化膜
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单选题粗化此种金属基底冠的表面的氧化铝粒度为（　　）。A20～30μmB35～50μmC55～70μmD75～90μmE95～110μm
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单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是（）A用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物C一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D使用橡皮轮磨光金属表面E防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
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单选题50～100p；micro；m的氧化铝主要用于（）。A贵金属基底冠的粗化B半贵金属基底冠的粗化C非贵金属基底冠的粗化D去除铸件表面的包埋料E去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
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