问答题熔体生长单晶所用坩埚材料遵循哪些原则？

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熔体生长单晶所用坩埚材料遵循哪些原则？

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酸消解土壤样品所用的坩埚应为（ ）。A.瓷坩埚B.镍坩埚C.铂金坩埚D.聚四氟乙烯坩埚
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镀膜镜片表面产生杂质，以下哪些是可能原因？（）A、材料本身不纯，有杂质B、预熔时没熔透，镀膜时有飞溅C、光斑打到边缘或外边，将其它物质镀到镜片上D、坩埚盖板太脏，预熔时有膜料残渣掉进坩埚
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手动预熔材料时，应注意下列哪些事项？（）A、真空室内达到一定的真空度，开始加电流预熔材料B、光斑不能打到坩埚边上，更不能打到坩埚外边C、预熔时的最高电流一定要高于蒸发时的电流D、不同材料不同的预熔电流
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合成尖晶石中可见弧形生长纹的属（）法合成。A、水热B、焰熔C、助熔剂D、冷坩埚
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中频感应炉中，坩埚一般是用耐火材料捣作后（）而成的。   A、重熔B、浇注C、烧结
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酸消解土壤样品所用的坩埚应为（）。A、瓷坩埚B、镍坩埚C、铂金坩埚D、聚四氟乙烯坩埚
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常用熔断器熔体的低熔点材料和高熔点材料各有哪些，用在什么场合？
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用浮区熔法生长单晶有何优点？
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在空间材料科学领域，我国利用返回式卫星进行微重力条件下空间材料加工实验，主要包括（）等多项。A、单晶生长，超导材料和合金凝固B、硬质合金，单晶体C、超导材料，合金制造
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恒重坩埚时，灼烧坩埚所用的温度（）。A、可以不控制B、应高于灼烧沉淀所用的温度C、应低于灼烧沉淀所用温度D、应与灼烧沉淀所用温度相同
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涤纶短纤维间接纺丝装置所用的原料为（）。A、PET熔体B、PET切片C、PP熔体D、PP切片
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涤纶短纤维熔体直接纺丝装置所用的原料为（）。A、PET熔体B、PET切片C、PET熔体D、PP切片
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熔体在应力作用下结晶时，通常形成（）结构。A、伸直链B、串晶C、单晶D、球晶
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从熔体冷却结晶时，倾向于生成（）结构。A、伸直链B、串晶C、单晶D、球晶
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影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A、①②④B、②④⑤C、①②④⑤D、①②③④⑤
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由于刚玉的熔点很高，焰熔法合成红宝石是采用：（）。A、石英坩埚B、铂坩埚C、无坩埚
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低压熔断器所用熔体材料必须采用低熔点金属材料
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单选题在空间材料科学领域，我国利用返回式卫星进行微重力条件下空间材料加工实验，主要包括（）等多项。A单晶生长，超导材料和合金凝固B硬质合金，单晶体C超导材料，合金制造
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问答题列出从熔体制备单晶、非晶的常用方法有哪些？
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单选题半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A70%B80%C90%D60%
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单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A①②④B②④⑤C①②④⑤D①②③④⑤
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问答题简述熔体制备单晶的方法，坩埚法和直拉法的过程细节。
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单选题铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）A头尾料和锅底料中含有的氧B晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C石墨加热器与坩埚反应引入的氧D外界空气的进入
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填空题晶体生长技术包括有融体生长法和（）；其中融体生长法主要有（）、坩埚下降法、（）和焰融法。
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单选题从熔体冷却结晶时，倾向于生成（）结构。A伸直链B串晶C单晶D球晶
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单选题熔体在应力作用下结晶时，通常形成（）结构。A伸直链B串晶C单晶D球晶
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问答题简述熔体法生长单晶的特点以及主要方法？
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