擦除EPROM是用()A、+5V电压B、+15V电压C、+21V电压D、紫外光照射

擦除EPROM是用()

  • A、+5V电压
  • B、+15V电压
  • C、+21V电压
  • D、紫外光照射

相关考题:

采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是()可擦除的。 A、不B、紫外线C、电D、高压电

EPROM是()A.随机存储器B.只读存储器C.可电擦除的存储器D.可紫外线擦除的存储器

可用紫外光线擦除信息的存储器是()。 A. DRAM B. PROM C. EPROM D. EEPROM

EPROM为可用()擦除的可编程ROM。

EPROM在整片擦除后,其各单元内容是()H。

EPROM芯片的程序擦除需要()A、CPUB、高电压C、低电压D、紫外光

MROM指()只读存储器,PROM指()只读存储器,EPROM指()擦除PROM,EEPROM指()擦除PROM。

可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。

存储器EPROM里的数据是需要电池保持的。它的内容是电写入,紫外线擦除。

半导体EPROM写入的内容,可以通过()擦除。A、紫外线照射B、电信号C、口令D、DOS命令

EPROM在擦除后所有的基本单元都回到什么状态(0还是1)?Flash存储器有什么优点和缺点?

EPROM是指可擦除可编程随机读写存储器。

EPROM是()A、随机存储器B、只读存储器C、可电擦除的存储器D、可紫外线擦除的存储器

EPROM是一种具有可擦除功能,可用()擦除后,进行再编程的ROM内存A、5V直流电B、12V直流电C、12V交流电D、紫外线

EPROM全称为()。A、不可编程只读存储器B、电可擦除可编程只读存储器C、可编程不可擦除只读存储器D、可编程可擦除只读存储器

7系列EPROM存储的数据是()可擦除的。A、不B、电C、紫外线D、融断器

内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为()。A、RAMB、FLASHC、动态MOS型RAMD、EPROM

下述关于EPROM的描述中哪一项是正确的()。A、只读存储器B、不能擦除数据C、光擦除可编程的只读存储器D、以上都错误

EPROM中的信息是如何擦除的?

填空题EPROM为可用()擦除的可编程ROM。

判断题可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。A对B错

单选题EPROM芯片的程序擦除需要()ACPUB高电压C低电压D紫外光

单选题EPROM是()A随机存储器B只读存储器C可电擦除的存储器D可紫外线擦除的存储器

单选题采用浮栅技术的EPROM中存储的数据是()可擦除的。A不B紫外线C电D高压电

填空题MROM指()只读存储器,PROM指()只读存储器,EPROM指()擦除PROM,EEPROM指()擦除PROM。

填空题EPROM在整片擦除后,其各单元内容是()H。

单选题7系列EPROM存储的数据是()可擦除的。A不B电C紫外线D融断器